DDR2 SDRAM 較DDR SDRAM 有多處改進(jìn)。DDR2SDRAM時(shí)鐘速率更高，從而提高了內(nèi)存數(shù)據(jù)速率。隨著時(shí)鐘速率提高，信號(hào)完整性對(duì)可靠運(yùn)行內(nèi)存變得越來(lái)越重要。隨著時(shí)鐘速率提高，電路板上的信號(hào)軌跡變成傳輸線，在信號(hào)線末端進(jìn)行合理的布局和端接變得更加重要。

地址、時(shí)鐘和命令信號(hào)的端接相對(duì)簡(jiǎn)明，因?yàn)檫@些信號(hào)是單向的，并端接在電路板上。數(shù)據(jù)信號(hào)和數(shù)據(jù)選通是雙向的。內(nèi)存控制器中心在寫入操作中驅(qū)動(dòng)這些信號(hào)，DDR2 SDRAM在讀取操作中驅(qū)動(dòng)這些信號(hào)。多個(gè)DDR2 SDRAM 連接到同一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)和數(shù)據(jù)選通上，進(jìn)一步提高了復(fù)雜度。

對(duì)低功率應(yīng)用，一次在每個(gè)內(nèi)存條中只應(yīng)打開(kāi)一行，而不是一次打開(kāi)行的多個(gè)內(nèi)存條。

在內(nèi)存條地址位連接到內(nèi)存系統(tǒng)中的低階地址位時(shí)，支持隔行掃描連續(xù)內(nèi)存條中的連續(xù)內(nèi)存字。在內(nèi)存條地址位連接到內(nèi)存系統(tǒng)中的高階地址時(shí)，連續(xù)內(nèi)存字位于同一個(gè)內(nèi)存條中。DDR2 SDRAM 數(shù)據(jù)速率和時(shí)鐘速度.

多個(gè)DDR2 SDRAM 可以位于內(nèi)存系統(tǒng)相同的DIMM上，也可以位于內(nèi)存系統(tǒng)不同的DIMM上。結(jié)果，數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)選通驅(qū)動(dòng)器和接收機(jī)不斷變化，具體取決于讀取/ 寫入操作及訪問(wèn)的是哪個(gè)DDR2 SDRAM。

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