M50FW016有32個(gè)均勻區(qū)塊，每個(gè)64KB，M50LPW116有非對(duì)稱區(qū)塊，50個(gè)區(qū)塊分成一個(gè)16KB的引導(dǎo)區(qū)，兩個(gè)8KB的參數(shù)區(qū)，一個(gè)32KB的主區(qū)，30個(gè)64KB的主區(qū)和16個(gè)4KB的參數(shù)區(qū)。

兩種器件的編程時(shí)間是10us，可通過四倍字節(jié)編程命令在存儲(chǔ)器陣列同時(shí)對(duì)四個(gè)相鄰字節(jié)進(jìn)行編程，64KB區(qū)塊的擦除時(shí)間為0.75us，也可提供整片擦除操作。

其它的共同特性是：雙重區(qū)塊保護(hù)(第一種是硬件，通過寫保護(hù)引腳，第二種是軟件，通過鎖住寄存器)和辯認(rèn)輸入引腳，允許多達(dá)16個(gè)器件連接在同一總線上。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:60 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:14 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:54 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 正向跨導(dǎo) - 最小值:50 S 下降時(shí)間:16 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:60 ns 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 單位重量:330 mg

低成本Delta-Sigma模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)ADS1110，它采用SOT23-6封裝。

ADS1110采用2.048V基準(zhǔn)電壓(0.05%精度，5ppm/C漂移)進(jìn)行全差分自校準(zhǔn)的ADC轉(zhuǎn)換，每秒可編取樣速率15，30，60或240次。

可編增益放大器的增益高達(dá)8，使較小的信號(hào)能以較高的分辨率進(jìn)行測(cè)量。

工作電壓為單電源2.7到5.5V，電流為240uA，可配置成一次轉(zhuǎn)換后自動(dòng)降功耗模式。器件也提供I2C接口。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）