器件的發(fā)射極直接擴(kuò)散進(jìn)P網(wǎng)孔層N+帶狀代替單元
發(fā)布時(shí)間:2021/1/21 20:13:47 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):591
200A電流的IGBT系列STGE200NB60S，在大電流時(shí)的正向壓降很低。這種器件保證有低的導(dǎo)通損耗而沒(méi)有采用重金屬摻雜或電輻射的方法來(lái)降低少數(shù)載流子的壽命。
該器件可用在鋁焊接機(jī)和感應(yīng)加熱設(shè)備以及不間斷電源(UPS)和開(kāi)關(guān)電源(SMPS)。
STGE200NB60S是ST公司PowerMESH IGBT系列中一員，它采用專(zhuān)利的帶狀布局。
"網(wǎng)孔覆蓋"技術(shù)是基于帶狀的新型高壓工藝，它由擴(kuò)散到IGBT N型外延層的P型網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)組成。N+帶狀代替單元，使器件的發(fā)射極直接擴(kuò)散進(jìn)P網(wǎng)孔層。
峰值發(fā)送波長(zhǎng)是紅外940nm。表面安裝省去了過(guò)孔引腳或?qū)Ь�(xiàn)，使體積更小。集電極電流(Icon)最小為100μA，最大為600μA，集電極-發(fā)射極飽和壓降(Vcesat)最大為0l.4V,工作溫度(Topr)為-55度到+100度，回流焊接溫度峰值為240度。
工業(yè)上要制造更小尺寸如90納米或更小的尺寸浮置柵閃存是不可能的。在這樣的尺寸，要用9-12V的高壓晶體管來(lái)寫(xiě)和擦除閃存，變得太貴了。同時(shí)，工程師也不能降低浮置柵閃存的高壓而不影響到可靠性，而冒存儲(chǔ)器失效和數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
200A電流的IGBT系列STGE200NB60S，在大電流時(shí)的正向壓降很低。這種器件保證有低的導(dǎo)通損耗而沒(méi)有采用重金屬摻雜或電輻射的方法來(lái)降低少數(shù)載流子的壽命。
該器件可用在鋁焊接機(jī)和感應(yīng)加熱設(shè)備以及不間斷電源(UPS)和開(kāi)關(guān)電源(SMPS)。
STGE200NB60S是ST公司PowerMESH IGBT系列中一員，它采用專(zhuān)利的帶狀布局。
"網(wǎng)孔覆蓋"技術(shù)是基于帶狀的新型高壓工藝，它由擴(kuò)散到IGBT N型外延層的P型網(wǎng)孔結(jié)構(gòu)組成。N+帶狀代替單元，使器件的發(fā)射極直接擴(kuò)散進(jìn)P網(wǎng)孔層。
峰值發(fā)送波長(zhǎng)是紅外940nm。表面安裝省去了過(guò)孔引腳或?qū)Ь�(xiàn)，使體積更小。集電極電流(Icon)最小為100μA，最大為600μA，集電極-發(fā)射極飽和壓降(Vcesat)最大為0l.4V,工作溫度(Topr)為-55度到+100度，回流焊接溫度峰值為240度。
工業(yè)上要制造更小尺寸如90納米或更小的尺寸浮置柵閃存是不可能的。在這樣的尺寸，要用9-12V的高壓晶體管來(lái)寫(xiě)和擦除閃存，變得太貴了。同時(shí)，工程師也不能降低浮置柵閃存的高壓而不影響到可靠性，而冒存儲(chǔ)器失效和數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。
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