無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備數(shù)字和擴(kuò)頻通信系統(tǒng)UPD301C獨(dú)立PD控制器
發(fā)布時(shí)間:2021/4/15 20:39:47 訪問(wèn)次數(shù):744
器件具有高度線性度,整個(gè)衰減范圍內(nèi)IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.
采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.主要用在寬帶系統(tǒng)包括無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備數(shù)字和擴(kuò)頻通信系統(tǒng), WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛(wèi)星地面調(diào)制解調(diào)器,微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng),溫度補(bǔ)償電路,自動(dòng)增益控制(ALC),發(fā)送器增益控制,接收器增益控制和通用測(cè)試設(shè)備.
在不受RoHS法規(guī)約束的應(yīng)用領(lǐng)域中，這將是一個(gè)主要優(yōu)勢(shì)。
制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:350 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.6 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V Qg-柵極電荷:0.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:440 mW 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:2 N-Channel 商標(biāo):Nexperia 正向跨導(dǎo) - 最小值:550 mS 下降時(shí)間:7 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:6 ns 工廠包裝數(shù)量4000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:12 ns 典型接通延遲時(shí)間:5 ns 零件號(hào)別名:934064288115 單位重量:2.800 mg
PD架構(gòu)的開(kāi)放性使客戶可以輕松地將USB-C / PD端口添加到各種嵌入式應(yīng)用中，同時(shí)還允許客戶將未使用的引腳或CPU存儲(chǔ)器重新分配給其他系統(tǒng)功能，并支持多種Microchip SAM和PIC®單片機(jī)以及dsPIC®數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）。
Microchip的PSF產(chǎn)品改變了將USB-C PD集成到客戶系統(tǒng)中的方式。
(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
器件具有高度線性度,整個(gè)衰減范圍內(nèi)IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.
采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.主要用在寬帶系統(tǒng)包括無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備數(shù)字和擴(kuò)頻通信系統(tǒng), WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛(wèi)星地面調(diào)制解調(diào)器,微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng),溫度補(bǔ)償電路,自動(dòng)增益控制(ALC),發(fā)送器增益控制,接收器增益控制和通用測(cè)試設(shè)備.
在不受RoHS法規(guī)約束的應(yīng)用領(lǐng)域中，這將是一個(gè)主要優(yōu)勢(shì)。
制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:350 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.6 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V Qg-柵極電荷:0.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:440 mW 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:2 N-Channel 商標(biāo):Nexperia 正向跨導(dǎo) - 最小值:550 mS 下降時(shí)間:7 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:6 ns 工廠包裝數(shù)量4000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:12 ns 典型接通延遲時(shí)間:5 ns 零件號(hào)別名:934064288115 單位重量:2.800 mg
PD架構(gòu)的開(kāi)放性使客戶可以輕松地將USB-C / PD端口添加到各種嵌入式應(yīng)用中，同時(shí)還允許客戶將未使用的引腳或CPU存儲(chǔ)器重新分配給其他系統(tǒng)功能，并支持多種Microchip SAM和PIC®單片機(jī)以及dsPIC®數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）。
Microchip的PSF產(chǎn)品改變了將USB-C PD集成到客戶系統(tǒng)中的方式。
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