羅德與施瓦茨提供了完整的車載以太網(wǎng)一致性測試解決方案，其中包括使用矢量網(wǎng)絡分析儀比如R&S ZND來測量MDI回波損耗。

使用R&S ScopeSuite測試軟件可以自動控制測量儀器、計算結(jié)果和記錄文件。測試向?qū)凑請D示說明逐步指導用戶完成測試過程。

自動測試序列可執(zhí)行快速、可靠的測試，并最大程度降低用戶出錯的可能性�？膳渲玫臏y試報告記錄了測試結(jié)果。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 78 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 17 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 37 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 43 S

下降時間: 3 nS

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 4.4 nS

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 16 nS

典型接通延遲時間: 3.3 ns

零件號別名: BSC94NSIXT SP000854384 BSC0904NSIATMA1

單位重量: 101.400 mg

可選包括1瓦或2瓦負載、SMA和N型連接器和公/母接口。這些射頻負載支持從直流到18 GHz的頻率范圍。

我們的新系列射頻衰減器和射頻負載，補充了之前有的3 GHz和6 GHz衰減器和終端產(chǎn)品線，為客戶提供更完整的連接解決方案。

隨著同軸互連產(chǎn)品線的擴大，以及更多新產(chǎn)品的加入，我們能夠為客戶提供的應用解決方案也日趨豐富多樣。

L-com諾通新型固定射頻衰減器和射頻負載.