Littelfuse開(kāi)發(fā)的專(zhuān)有熱保護(hù)壓敏電阻技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2021/4/20 8:50:24 訪問(wèn)次數(shù):984
LST壓敏電阻系列。采用Littelfuse開(kāi)發(fā)的專(zhuān)有熱保護(hù)壓敏電阻技術(shù)(TMOV),這款新型壓敏電阻融合了內(nèi)置熱斷開(kāi)功能和電弧屏蔽。
較寬的工作電壓范圍:50 kA型號(hào)高達(dá)690 Vac,75 kA型號(hào)高達(dá)550 Vac。
與市面上的其他技術(shù)相比,LST壓敏電阻具有許多優(yōu)勢(shì)。通過(guò)將LST集成到最新設(shè)計(jì)中,不僅能具有較寬的工作電壓范圍、較高的浪涌電流額定值,以及對(duì)微動(dòng)開(kāi)關(guān)選件進(jìn)行補(bǔ)充,您的SPD還將變得更加可靠,滿(mǎn)足客戶(hù)應(yīng)用的保護(hù)要求。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms, 4.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 5 nC, 23 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S, 85 S
下降時(shí)間: 2.4 ns, 4.1 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.6 ns, 5.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns, 28 ns
典型接通延遲時(shí)間: 2.4 ns, 5.6 ns
零件號(hào)別名: SP000998052 BSC0910NDIATMA1
單位重量: 101.800 mg

SESIP定義安全功能要求(SFR)目錄,產(chǎn)品開(kāi)發(fā)者可使用該目錄構(gòu)建其安全設(shè)備,并根據(jù)其特定的威脅模型和用例進(jìn)行適當(dāng)擴(kuò)展。
SESIP還合并且完善通用標(biāo)準(zhǔn)安全保證要求(SAR),包括對(duì)ALC_FLR.2缺陷報(bào)告程序的要求。
瑞薩電子通過(guò)PSIRT(Product Security Incident Response Team,產(chǎn)品安全事件響應(yīng)團(tuán)隊(duì))流程和公開(kāi)網(wǎng)頁(yè)渠道以解決這一問(wèn)題。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
LST壓敏電阻系列。采用Littelfuse開(kāi)發(fā)的專(zhuān)有熱保護(hù)壓敏電阻技術(shù)(TMOV),這款新型壓敏電阻融合了內(nèi)置熱斷開(kāi)功能和電弧屏蔽。
較寬的工作電壓范圍:50 kA型號(hào)高達(dá)690 Vac,75 kA型號(hào)高達(dá)550 Vac。
與市面上的其他技術(shù)相比,LST壓敏電阻具有許多優(yōu)勢(shì)。通過(guò)將LST集成到最新設(shè)計(jì)中,不僅能具有較寬的工作電壓范圍、較高的浪涌電流額定值,以及對(duì)微動(dòng)開(kāi)關(guān)選件進(jìn)行補(bǔ)充,您的SPD還將變得更加可靠,滿(mǎn)足客戶(hù)應(yīng)用的保護(hù)要求。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms, 4.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 5 nC, 23 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S, 85 S
下降時(shí)間: 2.4 ns, 4.1 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.6 ns, 5.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns, 28 ns
典型接通延遲時(shí)間: 2.4 ns, 5.6 ns
零件號(hào)別名: SP000998052 BSC0910NDIATMA1
單位重量: 101.800 mg

SESIP定義安全功能要求(SFR)目錄,產(chǎn)品開(kāi)發(fā)者可使用該目錄構(gòu)建其安全設(shè)備,并根據(jù)其特定的威脅模型和用例進(jìn)行適當(dāng)擴(kuò)展。
SESIP還合并且完善通用標(biāo)準(zhǔn)安全保證要求(SAR),包括對(duì)ALC_FLR.2缺陷報(bào)告程序的要求。
瑞薩電子通過(guò)PSIRT(Product Security Incident Response Team,產(chǎn)品安全事件響應(yīng)團(tuán)隊(duì))流程和公開(kāi)網(wǎng)頁(yè)渠道以解決這一問(wèn)題。
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