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Littelfuse開(kāi)發(fā)的專(zhuān)有熱保護(hù)壓敏電阻技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/4/20 8:50:24 訪問(wèn)次數(shù):984

LST壓敏電阻系列。采用Littelfuse開(kāi)發(fā)的專(zhuān)有熱保護(hù)壓敏電阻技術(shù)(TMOV),這款新型壓敏電阻融合了內(nèi)置熱斷開(kāi)功能和電弧屏蔽。

較寬的工作電壓范圍:50 kA型號(hào)高達(dá)690 Vac,75 kA型號(hào)高達(dá)550 Vac。

與市面上的其他技術(shù)相比,LST壓敏電阻具有許多優(yōu)勢(shì)。通過(guò)將LST集成到最新設(shè)計(jì)中,不僅能具有較寬的工作電壓范圍、較高的浪涌電流額定值,以及對(duì)微動(dòng)開(kāi)關(guān)選件進(jìn)行補(bǔ)充,您的SPD還將變得更加可靠,滿(mǎn)足客戶(hù)應(yīng)用的保護(hù)要求。


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms, 4.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 5 nC, 23 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S, 85 S

下降時(shí)間: 2.4 ns, 4.1 ns

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 3.6 ns, 5.6 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類(lèi)別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns, 28 ns

典型接通延遲時(shí)間: 2.4 ns, 5.6 ns

零件號(hào)別名: SP000998052 BSC0910NDIATMA1

單位重量: 101.800 mg

SESIP是通用標(biāo)準(zhǔn)方法(ISO 15408-3)的優(yōu)化版本,用于評(píng)估IoT組件和聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)。

SESIP定義安全功能要求(SFR)目錄,產(chǎn)品開(kāi)發(fā)者可使用該目錄構(gòu)建其安全設(shè)備,并根據(jù)其特定的威脅模型和用例進(jìn)行適當(dāng)擴(kuò)展。

SESIP還合并且完善通用標(biāo)準(zhǔn)安全保證要求(SAR),包括對(duì)ALC_FLR.2缺陷報(bào)告程序的要求。

瑞薩電子通過(guò)PSIRT(Product Security Incident Response Team,產(chǎn)品安全事件響應(yīng)團(tuán)隊(duì))流程和公開(kāi)網(wǎng)頁(yè)渠道以解決這一問(wèn)題。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

LST壓敏電阻系列。采用Littelfuse開(kāi)發(fā)的專(zhuān)有熱保護(hù)壓敏電阻技術(shù)(TMOV),這款新型壓敏電阻融合了內(nèi)置熱斷開(kāi)功能和電弧屏蔽。

較寬的工作電壓范圍:50 kA型號(hào)高達(dá)690 Vac,75 kA型號(hào)高達(dá)550 Vac。

與市面上的其他技術(shù)相比,LST壓敏電阻具有許多優(yōu)勢(shì)。通過(guò)將LST集成到最新設(shè)計(jì)中,不僅能具有較寬的工作電壓范圍、較高的浪涌電流額定值,以及對(duì)微動(dòng)開(kāi)關(guān)選件進(jìn)行補(bǔ)充,您的SPD還將變得更加可靠,滿(mǎn)足客戶(hù)應(yīng)用的保護(hù)要求。


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms, 4.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 5 nC, 23 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S, 85 S

下降時(shí)間: 2.4 ns, 4.1 ns

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 3.6 ns, 5.6 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類(lèi)別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns, 28 ns

典型接通延遲時(shí)間: 2.4 ns, 5.6 ns

零件號(hào)別名: SP000998052 BSC0910NDIATMA1

單位重量: 101.800 mg

SESIP是通用標(biāo)準(zhǔn)方法(ISO 15408-3)的優(yōu)化版本,用于評(píng)估IoT組件和聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)。

SESIP定義安全功能要求(SFR)目錄,產(chǎn)品開(kāi)發(fā)者可使用該目錄構(gòu)建其安全設(shè)備,并根據(jù)其特定的威脅模型和用例進(jìn)行適當(dāng)擴(kuò)展。

SESIP還合并且完善通用標(biāo)準(zhǔn)安全保證要求(SAR),包括對(duì)ALC_FLR.2缺陷報(bào)告程序的要求。

瑞薩電子通過(guò)PSIRT(Product Security Incident Response Team,產(chǎn)品安全事件響應(yīng)團(tuán)隊(duì))流程和公開(kāi)網(wǎng)頁(yè)渠道以解決這一問(wèn)題。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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