RK2108D支持自研的一級(jí)待機(jī)＋深度待機(jī)「雙待機(jī)」模式，其功耗表現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。

RK2108D內(nèi)置600MHz主頻的HiFi3 DSP，提供優(yōu)質(zhì)的語(yǔ)音信號(hào)處理能力。自帶AI語(yǔ)音識(shí)別引擎，無(wú)需額外增加其他硬件，即可實(shí)現(xiàn)AI語(yǔ)音識(shí)別功能，更具成本優(yōu)勢(shì)。

SESIP方法專(zhuān)為SFR重用和映射至其它認(rèn)證而設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員能夠根據(jù)其它行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（如IEC 62443等）對(duì)其設(shè)備進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼J(rèn)證。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類(lèi)型

2 N 溝道（雙）非對(duì)稱(chēng)型

FET 功能

邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng)

漏源電壓（Vdss）

25V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

11A，31A

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

4.6 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

6.6nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

4500pF @ 12V

功率 - 最大值

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型

表面貼裝型

封裝/外殼

8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝

PG-TISON-8

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSC0910

目前認(rèn)證主要是面向關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施中使用的設(shè)備，并正穩(wěn)步成為IoT領(lǐng)域其它設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)。

PSA認(rèn)證構(gòu)建了一個(gè)保護(hù)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的框架，涵蓋從安全分析到安全評(píng)估以及認(rèn)證。該框架提供標(biāo)準(zhǔn)化資源，以解決物聯(lián)網(wǎng)開(kāi)發(fā)日益細(xì)分化的需求，從而確保安全性不再是產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的壁壘。

PSA認(rèn)證通過(guò)對(duì)PSA信任根（PSA-RoT）進(jìn)行第三方實(shí)驗(yàn)室評(píng)估，PSA 2級(jí)認(rèn)證證明產(chǎn)品可以防范可擴(kuò)展軟件攻擊。

評(píng)估實(shí)驗(yàn)室借助PSA-RoT漏洞分析和滲透測(cè)試以確定是否滿足PSA-RoT保護(hù)配置文件的九項(xiàng)安全要求。

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