與Wi-Fi 5和Wi-Fi 4相比，無(wú)線覆蓋范圍增加了一倍； 覆蓋范圍比典型的Wi-Fi 6/6E解決方案高40%； 通過(guò)增強(qiáng)的干擾抑制提高連接可靠性.

更低的延遲和更好的Wi-Fi/BT共存，可改善復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中的多媒體流和游戲響應(yīng)能力； 節(jié)電20%以上，從而延長(zhǎng)了電池壽命； 具有安全啟動(dòng)、固件身份驗(yàn)證和加密以及生命周期管理的多層安全防護(hù)，為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來(lái)更高級(jí)別的安全性。

這使它們成為游戲機(jī)、AR/VR、智能音箱、媒體流設(shè)備和汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)等高質(zhì)量視頻和音頻流應(yīng)用的理想選擇。要求實(shí)時(shí)響應(yīng)的應(yīng)用（如安防系統(tǒng)和工業(yè)自動(dòng)化）也將從英飛凌的新產(chǎn)品中受益。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包裝

管件

零件狀態(tài)

停產(chǎn)

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

12.5A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

9 毫歐 @ 12.5A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

8-SO

封裝/外殼

8-SOIC（0.154""，3.90mm 寬）

漏源電壓（Vdss）

30V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

78nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

2240pF @ 15V

Keysight SL1200A 系列為客戶提供了以下重要優(yōu)勢(shì)：

大功率三相交流和直流電源與 EV/EVSE 充電和逆變器測(cè)試解決方案融于一體，可以對(duì)器件進(jìn)行完整的測(cè)試。

直流輸出（選件 SDC）支持高達(dá) 1000 V DC 和 120 kW 的大功率直流充電測(cè)試；可以避免使用額外的設(shè)備，從而大幅降低成本。

100% 可再生（雙向）電源解決方案，效率> 85%，憑借高度集成的功能降低測(cè)試成本。

無(wú)需使用額外的設(shè)備即可實(shí)現(xiàn) 1200 V 兩線間（L-L）電壓且達(dá)到技術(shù)指標(biāo)，從而能夠降低成本、提高性能、節(jié)省空間。