NVMe 云端固態(tài)硬盤(pán)能夠檢測(cè)到用戶的海拔變化
發(fā)布時(shí)間:2021/4/22 12:48:01 訪問(wèn)次數(shù):1055
氣壓傳感器使可穿戴設(shè)備能夠檢測(cè)到用戶的海拔變化,例如上下樓,以計(jì)算用戶燃燒的卡路里數(shù)量。
將氣壓傳感器集成到需要高堅(jiān)固性的產(chǎn)品中。博世將其多年來(lái)為惡劣環(huán)境打造可靠傳感器的經(jīng)驗(yàn),運(yùn)用到了BMP384的設(shè)計(jì)中。
工程師們?cè)趯鈮簜鞲衅骷芍辽婕八蚱渌廴疚锏膽?yīng)用中時(shí),還面臨著巨大的挑戰(zhàn)。
在最終產(chǎn)品的使用壽命內(nèi),經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)性能下降的現(xiàn)象。這款全新傳感器令集成更加簡(jiǎn)單并能夠讓廠商和用戶放心。
集成電路(IC)
PMIC - 全、半橋驅(qū)動(dòng)器
制造商
STMicroelectronics
系列
VIPower™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel®
零件狀態(tài)
有源
輸出配置
半橋(2)
應(yīng)用
DC 電機(jī),通用
接口
邏輯
負(fù)載類(lèi)型
電感
技術(shù)
功率 MOSFET
導(dǎo)通電阻(典型值)
7.3 毫歐 LS,5.7 毫歐 HS
電流 - 輸出/通道
40A
電流 - 峰值輸出
電壓 - 供電
72V(最大)
電壓 - 負(fù)載
工作溫度
-40°C ~ 175°C(TJ)
特性
故障保護(hù)
超溫
安裝類(lèi)型
表面貼裝型
封裝/外殼
36-PowerBFSOP(0.295"",7.50mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
PowerSSO-36
基本產(chǎn)品編號(hào)
VNH7013

PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半導(dǎo)體專(zhuān)為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造,此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作的決心。
PM9A3 U.2使用三星第六代3D閃存(V-NAND)技術(shù),基于NVMe協(xié)議,完全符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)NVMe 云端固態(tài)硬盤(pán)規(guī)范,并能根據(jù)數(shù)據(jù)中心需求,在性能、電源效率、可靠性、安全性等方面,提供高級(jí)別的解決方案。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
氣壓傳感器使可穿戴設(shè)備能夠檢測(cè)到用戶的海拔變化,例如上下樓,以計(jì)算用戶燃燒的卡路里數(shù)量。
將氣壓傳感器集成到需要高堅(jiān)固性的產(chǎn)品中。博世將其多年來(lái)為惡劣環(huán)境打造可靠傳感器的經(jīng)驗(yàn),運(yùn)用到了BMP384的設(shè)計(jì)中。
工程師們?cè)趯鈮簜鞲衅骷芍辽婕八蚱渌廴疚锏膽?yīng)用中時(shí),還面臨著巨大的挑戰(zhàn)。
在最終產(chǎn)品的使用壽命內(nèi),經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)性能下降的現(xiàn)象。這款全新傳感器令集成更加簡(jiǎn)單并能夠讓廠商和用戶放心。
集成電路(IC)
PMIC - 全、半橋驅(qū)動(dòng)器
制造商
STMicroelectronics
系列
VIPower™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel®
零件狀態(tài)
有源
輸出配置
半橋(2)
應(yīng)用
DC 電機(jī),通用
接口
邏輯
負(fù)載類(lèi)型
電感
技術(shù)
功率 MOSFET
導(dǎo)通電阻(典型值)
7.3 毫歐 LS,5.7 毫歐 HS
電流 - 輸出/通道
40A
電流 - 峰值輸出
電壓 - 供電
72V(最大)
電壓 - 負(fù)載
工作溫度
-40°C ~ 175°C(TJ)
特性
故障保護(hù)
超溫
安裝類(lèi)型
表面貼裝型
封裝/外殼
36-PowerBFSOP(0.295"",7.50mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
PowerSSO-36
基本產(chǎn)品編號(hào)
VNH7013

PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半導(dǎo)體專(zhuān)為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶打造,此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作的決心。
PM9A3 U.2使用三星第六代3D閃存(V-NAND)技術(shù),基于NVMe協(xié)議,完全符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)NVMe 云端固態(tài)硬盤(pán)規(guī)范,并能根據(jù)數(shù)據(jù)中心需求,在性能、電源效率、可靠性、安全性等方面,提供高級(jí)別的解決方案。
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