電路保護(hù)元器件及功率半導(dǎo)體VGS關(guān)斷波形星光模式
發(fā)布時(shí)間:2021/4/17 21:29:45 訪問次數(shù):1152
AI攝像頭可智能升降,保護(hù)隱私;支持精準(zhǔn)抓拍,廣角拍攝、毫秒級(jí)響應(yīng)、語(yǔ)音控制及星光模式.
可進(jìn)行遠(yuǎn)程家庭守護(hù),手機(jī)與電視互聯(lián),24小時(shí)實(shí)時(shí)守護(hù)家人;同時(shí)通過AI攝像頭,電視能實(shí)現(xiàn)AI人臉識(shí)別、大屏聊天等超強(qiáng)AI功能和智慧社交。
電視與AI的結(jié)合,不僅是功能上的創(chuàng)新,更是生活方式的變革。
瑞芯微RV1109及RV1126 AI攝像頭方案通過技術(shù)升級(jí)優(yōu)化,將加速電視產(chǎn)品升級(jí)迭代的步伐,提升AI電視合作伙伴在智能家居、智能教育、辦公等領(lǐng)域的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.5 mOhms, 900 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 6.6 nC, 30.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S, 85 S
下降時(shí)間: 2.4 ns, 4.1 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.6 ns, 5.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns, 28 ns
典型接通延遲時(shí)間: 2.4 ns, 5.6 ns
零件號(hào)別名: BSC0910NDI SP000998052
單位重量: 101.820 mg

從VGS 關(guān)斷波形來看, WMJ120N60CM 比65R019C7 略快。導(dǎo)通電阻Rdson,且是TO-247通用封裝,在有效提升電源功率密度的同時(shí)又節(jié)省了空間。
目前此款產(chǎn)品主要面向高功率電源模塊,比如新能源汽車地面充電樁模塊電源,通信電源和高功率充電機(jī)等行業(yè),在減少成本費(fèi)用的情況下實(shí)現(xiàn)高效,加速新基建全面落地。
維安(WAYON)是電路保護(hù)元器件及功率半導(dǎo)體提供商。WAYON始終堅(jiān)持“以客戶為導(dǎo)向,以技術(shù)為本,堅(jiān)持艱苦奮斗精神”的核心價(jià)值觀。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
AI攝像頭可智能升降,保護(hù)隱私;支持精準(zhǔn)抓拍,廣角拍攝、毫秒級(jí)響應(yīng)、語(yǔ)音控制及星光模式.
可進(jìn)行遠(yuǎn)程家庭守護(hù),手機(jī)與電視互聯(lián),24小時(shí)實(shí)時(shí)守護(hù)家人;同時(shí)通過AI攝像頭,電視能實(shí)現(xiàn)AI人臉識(shí)別、大屏聊天等超強(qiáng)AI功能和智慧社交。
電視與AI的結(jié)合,不僅是功能上的創(chuàng)新,更是生活方式的變革。
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制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.5 mOhms, 900 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 6.6 nC, 30.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S, 85 S
下降時(shí)間: 2.4 ns, 4.1 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.6 ns, 5.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns, 28 ns
典型接通延遲時(shí)間: 2.4 ns, 5.6 ns
零件號(hào)別名: BSC0910NDI SP000998052
單位重量: 101.820 mg

從VGS 關(guān)斷波形來看, WMJ120N60CM 比65R019C7 略快。導(dǎo)通電阻Rdson,且是TO-247通用封裝,在有效提升電源功率密度的同時(shí)又節(jié)省了空間。
目前此款產(chǎn)品主要面向高功率電源模塊,比如新能源汽車地面充電樁模塊電源,通信電源和高功率充電機(jī)等行業(yè),在減少成本費(fèi)用的情況下實(shí)現(xiàn)高效,加速新基建全面落地。
維安(WAYON)是電路保護(hù)元器件及功率半導(dǎo)體提供商。WAYON始終堅(jiān)持“以客戶為導(dǎo)向,以技術(shù)為本,堅(jiān)持艱苦奮斗精神”的核心價(jià)值觀。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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