ICS8442和ICS公司的各種扇出緩沖器，乘法器和除法器一起能實(shí)現(xiàn)完整的低抖動(dòng)低歪斜時(shí)鐘樹。ICS8442的樣品是32引腳的LQFP封裝(7mmx7mm)。

在速度200Mhz和230mA低的功耗，和同類產(chǎn)品相比，它的帶寬提高40%。

由于有這些最新的產(chǎn)品增加到IDT的多端口產(chǎn)品，加強(qiáng)了該公司在高性能方面的應(yīng)用支持，如存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)(SAN)的光通道線路卡，無線通信設(shè)備的基站和網(wǎng)絡(luò)交換中標(biāo)識查找。

一種速度業(yè)界最快，功耗最低的同步四端口器件70V5388/5378。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 22 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 45 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 36 S

下降時(shí)間: 3.2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 3.6 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns

典型接通延遲時(shí)間: 4.6 ns

零件號別名: BSZ58N3LSGXT SP000307424 BSZ058N03LSGATMA1

單位重量: 38.230 mg

IDT的四端口器件有工作在200MHz的高性能的存儲(chǔ)器內(nèi)置自測試(MBIST)，MBIST運(yùn)行比其它的快三倍，僅需要眾多周期的一半。

器件也有改進(jìn)的熱性能和更低的系統(tǒng)功耗。

例如，同樣工作在133MHz的條件下，IDT器件的額定功耗為300MA(最大460mA)，其它解決方案的則為350mA(最大700mA)。

IDT的四端口器件有增強(qiáng)型計(jì)數(shù)器控制和掩模版寄存器功能，是計(jì)數(shù)器-掩模版操作有最大的靈活性。

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