VSAT/衛(wèi)星地面調(diào)制解調(diào)器微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng)
發(fā)布時(shí)間:2021/4/24 0:07:13 訪問(wèn)次數(shù):934
輪胎接觸路面時(shí)會(huì)輸出波形,因此,當(dāng)汽車(chē)開(kāi)始行駛時(shí)就會(huì)不斷產(chǎn)生波形。
隨著車(chē)速的提高,波形的產(chǎn)生頻率也隨之增加,當(dāng)行駛方向改變時(shí),輪胎上的負(fù)荷也將發(fā)生改變,從而產(chǎn)生反映當(dāng)時(shí)行駛特點(diǎn)的不同波形。
由于車(chē)輪每轉(zhuǎn)一圈會(huì)輸出一個(gè)波形,所以InWheelSense模塊不僅能夠檢測(cè)行駛過(guò)程中的速度,還能根據(jù)輸出波形的形狀檢測(cè)路面狀況。
FIPS 140標(biāo)準(zhǔn)作為政府、金融機(jī)構(gòu)、公共及基礎(chǔ)設(shè)施所應(yīng)用的基本安全要求,正成為全球范圍內(nèi)的安全標(biāo)準(zhǔn)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 55 S
下降時(shí)間: 3.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 5.2 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.2 ns
零件號(hào)別名: BSC92NSXT SP000800246 BSC0902NSATMA1
單位重量: 118.180 mg
在寬帶系統(tǒng)包括無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備數(shù)字和擴(kuò)頻通信系統(tǒng), WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛(wèi)星地面調(diào)制解調(diào)器,微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng),溫度補(bǔ)償電路,自動(dòng)增益控制(ALC),發(fā)送器增益控制,接收器增益控制和通用測(cè)試設(shè)備.
32位RX65N微控制器(MCU)通過(guò)美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST)FIPS 140-2安全標(biāo)準(zhǔn)加密模塊驗(yàn)證程序(CMVP)3級(jí)認(rèn)證,成為率先獲得3級(jí)認(rèn)證的通用MCU產(chǎn)品。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
輪胎接觸路面時(shí)會(huì)輸出波形,因此,當(dāng)汽車(chē)開(kāi)始行駛時(shí)就會(huì)不斷產(chǎn)生波形。
隨著車(chē)速的提高,波形的產(chǎn)生頻率也隨之增加,當(dāng)行駛方向改變時(shí),輪胎上的負(fù)荷也將發(fā)生改變,從而產(chǎn)生反映當(dāng)時(shí)行駛特點(diǎn)的不同波形。
由于車(chē)輪每轉(zhuǎn)一圈會(huì)輸出一個(gè)波形,所以InWheelSense模塊不僅能夠檢測(cè)行駛過(guò)程中的速度,還能根據(jù)輸出波形的形狀檢測(cè)路面狀況。
FIPS 140標(biāo)準(zhǔn)作為政府、金融機(jī)構(gòu)、公共及基礎(chǔ)設(shè)施所應(yīng)用的基本安全要求,正成為全球范圍內(nèi)的安全標(biāo)準(zhǔn)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 55 S
下降時(shí)間: 3.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 5.2 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.2 ns
零件號(hào)別名: BSC92NSXT SP000800246 BSC0902NSATMA1
單位重量: 118.180 mg
在寬帶系統(tǒng)包括無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備數(shù)字和擴(kuò)頻通信系統(tǒng), WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛(wèi)星地面調(diào)制解調(diào)器,微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng),溫度補(bǔ)償電路,自動(dòng)增益控制(ALC),發(fā)送器增益控制,接收器增益控制和通用測(cè)試設(shè)備.
32位RX65N微控制器(MCU)通過(guò)美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST)FIPS 140-2安全標(biāo)準(zhǔn)加密模塊驗(yàn)證程序(CMVP)3級(jí)認(rèn)證,成為率先獲得3級(jí)認(rèn)證的通用MCU產(chǎn)品。
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