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數(shù)據(jù)路徑加速邏輯平頭哥玄鐵906 RISC-V的應用處理器

發(fā)布時間:2021/4/26 12:51:10 訪問次數(shù):1277

D1處理器,其是全球首顆量產(chǎn)的搭載平頭哥玄鐵906 RISC-V的應用處理器,為萬物互聯(lián)AIoT時代提供了新的智能關(guān)鍵芯片。

芯片與平頭哥玄鐵906密切合作,結(jié)合公司在高清視頻處理及系統(tǒng)架構(gòu)方面的深度積累,集成自研的片內(nèi)高速互聯(lián)總線NSI和豐富應用接口,能夠提供高性能的異構(gòu)多核心計算處理和出色的圖形加速能力。

其強勁的產(chǎn)品表現(xiàn)力從底層性能和規(guī)格設(shè)計上高度契合AIoT時代海量的場景需求,可廣泛應用于智慧城市、智能汽車、智能商顯、智能家電、智能辦公等多個領(lǐng)域市場。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術(shù):    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    60 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    50 A    

Rds On-漏源導通電阻:    6.7 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V    

Qg-柵極電荷:    67 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   38 S  

下降時間:   7 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   26 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   37 ns  

典型接通延遲時間:   15 ns  

零件號別名:  BSC067N06LS3 G SP000451084  

單位重量:  190 mg

它們具有豐富的I/O選項,包括10Gbit以太網(wǎng)、1Gbit以太網(wǎng)、PCIe、USB、SATA、RapidIO等。

由于在每個T4240中嵌入了數(shù)據(jù)路徑加速邏輯,可以顯著提高數(shù)據(jù)包分類和處理效率。此外,還能支持-55°C至125°C的寬工作溫度范圍。

除了這些設(shè)備在高可靠性環(huán)境下的特性描述、篩選和鑒定(以檢查它們是否具有必要的穩(wěn)健性、壽命和性能屬性),Teledyne e2v還為T4240提供了Sn-Pb球選項。

在不受RoHS法規(guī)約束的應用領(lǐng)域中,這將是一個主要優(yōu)勢。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

D1處理器,其是全球首顆量產(chǎn)的搭載平頭哥玄鐵906 RISC-V的應用處理器,為萬物互聯(lián)AIoT時代提供了新的智能關(guān)鍵芯片。

芯片與平頭哥玄鐵906密切合作,結(jié)合公司在高清視頻處理及系統(tǒng)架構(gòu)方面的深度積累,集成自研的片內(nèi)高速互聯(lián)總線NSI和豐富應用接口,能夠提供高性能的異構(gòu)多核心計算處理和出色的圖形加速能力。

其強勁的產(chǎn)品表現(xiàn)力從底層性能和規(guī)格設(shè)計上高度契合AIoT時代海量的場景需求,可廣泛應用于智慧城市、智能汽車、智能商顯、智能家電、智能辦公等多個領(lǐng)域市場。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術(shù):    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    60 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    50 A    

Rds On-漏源導通電阻:    6.7 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V    

Qg-柵極電荷:    67 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   38 S  

下降時間:   7 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   26 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   37 ns  

典型接通延遲時間:   15 ns  

零件號別名:  BSC067N06LS3 G SP000451084  

單位重量:  190 mg

它們具有豐富的I/O選項,包括10Gbit以太網(wǎng)、1Gbit以太網(wǎng)、PCIe、USB、SATA、RapidIO等。

由于在每個T4240中嵌入了數(shù)據(jù)路徑加速邏輯,可以顯著提高數(shù)據(jù)包分類和處理效率。此外,還能支持-55°C至125°C的寬工作溫度范圍。

除了這些設(shè)備在高可靠性環(huán)境下的特性描述、篩選和鑒定(以檢查它們是否具有必要的穩(wěn)健性、壽命和性能屬性),Teledyne e2v還為T4240提供了Sn-Pb球選項。

在不受RoHS法規(guī)約束的應用領(lǐng)域中,這將是一個主要優(yōu)勢。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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