發(fā)射器頻率合成帶寬450MHz和接收器帶寬450MHz
發(fā)布時間:2021/4/28 6:30:56 訪問次數(shù):809
PI7C9X3G808GP 藉由這項 CDEP 功能支持扇出與雙主機連接。
內(nèi)建的 PCIe 3.0 時鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數(shù)量,有助于降低 BOM 成本。此整合式緩沖器具低功耗操作特色,成為業(yè)界獨一無二的產(chǎn)品。
可以使用三種參考頻率選項:通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。
切換器中嵌入了多個直接內(nèi)存訪問 (DMA) 通道,盡量提高單一主機 (或多部主機) 與相連的端點之間通訊作業(yè)效率。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 13.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 26 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 18 S
下降時間: 2 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2.2 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns
典型接通延遲時間: 2.7 ns
零件號別名: BSC15N3LDGXT SP000359362 BSC150N03LDGATMA1
單位重量: 100 mg
去飽和檢測(DeSAT)和軟關(guān)斷(SSD)可以快速且安全地應(yīng)對短路事件。柵極驅(qū)動器上的欠壓鎖定(UVLO)和DC總線電壓監(jiān)視系統(tǒng)以確保正常運行.
采用14 mm × 14 mm289引腳芯片級球柵陣列 (CSP_BGA) 封裝.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規(guī)模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.器件的中心頻率為75 MHz至6000 MHz,最大接收器帶寬為200 MHz,最大發(fā)射器大信號帶寬為200 MHz,最大發(fā)射器頻率合成帶寬為450 MHz和最大觀測接收器帶寬為450 MHz.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
PI7C9X3G808GP 藉由這項 CDEP 功能支持扇出與雙主機連接。
內(nèi)建的 PCIe 3.0 時鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數(shù)量,有助于降低 BOM 成本。此整合式緩沖器具低功耗操作特色,成為業(yè)界獨一無二的產(chǎn)品。
可以使用三種參考頻率選項:通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。
切換器中嵌入了多個直接內(nèi)存訪問 (DMA) 通道,盡量提高單一主機 (或多部主機) 與相連的端點之間通訊作業(yè)效率。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 13.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 26 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 18 S
下降時間: 2 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2.2 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns
典型接通延遲時間: 2.7 ns
零件號別名: BSC15N3LDGXT SP000359362 BSC150N03LDGATMA1
單位重量: 100 mg
去飽和檢測(DeSAT)和軟關(guān)斷(SSD)可以快速且安全地應(yīng)對短路事件。柵極驅(qū)動器上的欠壓鎖定(UVLO)和DC總線電壓監(jiān)視系統(tǒng)以確保正常運行.
采用14 mm × 14 mm289引腳芯片級球柵陣列 (CSP_BGA) 封裝.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規(guī)模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.器件的中心頻率為75 MHz至6000 MHz,最大接收器帶寬為200 MHz,最大發(fā)射器大信號帶寬為200 MHz,最大發(fā)射器頻率合成帶寬為450 MHz和最大觀測接收器帶寬為450 MHz.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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