例如汽車電子市場的音頻放大器,音響主機, ANC/RNC,后座娛樂設備, 數字駕駛艙以及消費類電子市場的揚聲器,條形音響,AVR, 會議系統,混音控制臺,麥克風陣列和耳機.

CISSOID 實現了功率模塊和柵極驅動器的整體融合設計，且可通過仔細調整dv/dt去實現控制，通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM，從而將開關能量損耗降至最低。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 63 A

Rds On-漏源導通電阻: 10.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 35 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 29 S

下降時間: 5 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 7 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 19 ns

典型接通延遲時間: 12 ns

零件號別名: SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1

單位重量: 300 mg

器件具有硬件安全引擎(HSE)和先進的功能安全性硬件和軟件,工作溫度-40C 到105C ,滿足規(guī)范AEC-Q100 Grade 2.

器件有助于加速開發(fā)先進駕駛輔助系統(ADAS)和自主駕駛系統,并支持用于服務取向的網關,ECU整合和安全應用的高級操作系統.

該模塊的安全運行區(qū)域（RBSOA）允許直流總線電壓高達880V、峰值電流高達600A，從而使得800V電池電壓系統的應用是絕對安全的。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）