功率模塊和柵極驅(qū)動器的電壓過沖來優(yōu)化IPM高達(dá)880V
發(fā)布時間:2021/4/28 6:48:13 訪問次數(shù):310
例如汽車電子市場的音頻放大器,音響主機, ANC/RNC,后座娛樂設(shè)備, 數(shù)字駕駛艙以及消費類電子市場的揚聲器,條形音響,AVR, 會議系統(tǒng),混音控制臺,麥克風(fēng)陣列和耳機.
CISSOID 實現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動器的整體融合設(shè)計,且可通過仔細(xì)調(diào)整dv/dt去實現(xiàn)控制,通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM,從而將開關(guān)能量損耗降至最低。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 63 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 29 S
下降時間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
零件號別名: SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1
單位重量: 300 mg
器件具有硬件安全引擎(HSE)和先進的功能安全性硬件和軟件,工作溫度-40C 到105C ,滿足規(guī)范AEC-Q100 Grade 2.
器件有助于加速開發(fā)先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和自主駕駛系統(tǒng),并支持用于服務(wù)取向的網(wǎng)關(guān),ECU整合和安全應(yīng)用的高級操作系統(tǒng).
該模塊的安全運行區(qū)域(RBSOA)允許直流總線電壓高達(dá)880V、峰值電流高達(dá)600A,從而使得800V電池電壓系統(tǒng)的應(yīng)用是絕對安全的。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
例如汽車電子市場的音頻放大器,音響主機, ANC/RNC,后座娛樂設(shè)備, 數(shù)字駕駛艙以及消費類電子市場的揚聲器,條形音響,AVR, 會議系統(tǒng),混音控制臺,麥克風(fēng)陣列和耳機.
CISSOID 實現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動器的整體融合設(shè)計,且可通過仔細(xì)調(diào)整dv/dt去實現(xiàn)控制,通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM,從而將開關(guān)能量損耗降至最低。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 63 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 29 S
下降時間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
零件號別名: SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1
單位重量: 300 mg
器件具有硬件安全引擎(HSE)和先進的功能安全性硬件和軟件,工作溫度-40C 到105C ,滿足規(guī)范AEC-Q100 Grade 2.
器件有助于加速開發(fā)先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和自主駕駛系統(tǒng),并支持用于服務(wù)取向的網(wǎng)關(guān),ECU整合和安全應(yīng)用的高級操作系統(tǒng).
該模塊的安全運行區(qū)域(RBSOA)允許直流總線電壓高達(dá)880V、峰值電流高達(dá)600A,從而使得800V電池電壓系統(tǒng)的應(yīng)用是絕對安全的。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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