SHARC處理器是基于SHARC+®單核,具有Super Harvard架構(gòu),是32位/40位/64位浮點(diǎn)處理器,具有大容量片上SRAM,多種內(nèi)部總線消除輸入/輸出(I/O)瓶頸,具有創(chuàng)新的數(shù)字音頻接口(DAI),最適合用在高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用.

SHARC+處理核新增加的功能包括緩存增強(qiáng)功能和分支預(yù)測(cè),而同時(shí)保持了以前SHARC產(chǎn)品的指令集功能.SHARC+處理器集成了豐富的業(yè)界一流系統(tǒng)外設(shè)和存儲(chǔ)器,是需要相似于精簡(jiǎn)指令集(RISC)編程的應(yīng)用平臺(tái)的選擇,并支持多媒體和一流邊沿信號(hào)處理.

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    150 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    56 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    16 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    3 V    

Qg-柵極電荷:    19 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    96 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   20 S  

下降時(shí)間:   2.6 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   3 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   10.8 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   9.6 ns  

零件號(hào)別名:  BSC160N15NS5 SP001181422  

單位重量:  110 mg

SiC的獨(dú)特高溫特性和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)，這一結(jié)溫不斷提升的趨勢(shì)將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局。

這些目前典型的、未來(lái)還將出現(xiàn)的高溫、高功率密度應(yīng)用，包括深度整合的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成、多電和全電飛機(jī)乃至電動(dòng)飛機(jī)、移動(dòng)儲(chǔ)能充電站和充電寶，以及其他各種液體冷卻受到嚴(yán)重限制的電力應(yīng)用。

CISSOID IPM 智能功率模塊除采用了國(guó)際上最流行的SiC MOSFET芯片外，我們也與中國(guó)國(guó)內(nèi)的SiC芯片廠商開(kāi)展深入合作，也相繼推出了基于中國(guó)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的IPM模塊（CXT－PLA3SA550CA 和CMT－PLA3SB340CA）.