AT25EU系列SPI NOR Flash器件，助力注重功耗、尺寸受限的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備開(kāi)發(fā)。AT25EU系列專(zhuān)注于實(shí)現(xiàn)最低的功耗和最快的運(yùn)行速度，從而實(shí)現(xiàn)最低的能耗。

與現(xiàn)有的SPI NOR Flash解決方案相比，AT25EU系列最大的差異化特性是在不影響性能的前提下實(shí)現(xiàn)了更低的總能耗。

實(shí)現(xiàn)更快、功耗更低的擦除操作，可以提升設(shè)備的軟件無(wú)線更新（OTA）、事件跟蹤、數(shù)據(jù)記錄活動(dòng)等功能的效率。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 67 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S

下降時(shí)間: 7 ns

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 26 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類(lèi)別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 37 ns

典型接通延遲時(shí)間: 15 ns

零件號(hào)別名: BSC067N06LS3 G SP000451084

單位重量: 190 mg

33V高工作電壓允許采用雙極電源來(lái)有效地驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC功率FET.

采用6 mm × 12 mm CSP_BGA封裝, ADAQ8088在高密度多路系統(tǒng)中最大限度降低了空間需求.

新型AS585xB產(chǎn)品與X射線影像設(shè)備中的標(biāo)準(zhǔn)連接器兼容，組裝起來(lái)更簡(jiǎn)便；平板探測(cè)儀制造商可以從三種產(chǎn)品選項(xiàng)中，選擇更快、更低功耗的讀出IC；