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DRAM串聯(lián)式ECC和內(nèi)部軟件接入SRAM支持的ECC所左右

發(fā)布時(shí)間:2021/4/28 7:26:24 訪問(wèn)次數(shù):677

UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器,源電流1.5A,沉電流2A,增強(qiáng)隔離指標(biāo)為5.7-kVRMS.

UCC23511-Q1能驅(qū)動(dòng)高邊和低邊功率FET.

引腳對(duì)引腳替代光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時(shí)延為105ns,部件間延時(shí)失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態(tài)免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.工作結(jié)溫為–40C 到+150C.

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    2 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    20 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    12.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1 V    

Qg-柵極電荷:    13.2 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    26 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   2 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   18 S  

下降時(shí)間:   2 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   2.2 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   12 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   2.7 ns  

零件號(hào)別名:  BSC150N03LD G SP000359362  

單位重量:  154 mg

高工業(yè)系統(tǒng)安全可靠性由DRAM串聯(lián)式ECC和內(nèi)部軟件接入SRAM支持的ECC所左右.

ADAQ8088是雙路模擬系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP),集成了三個(gè)信號(hào)處理和藹調(diào)理區(qū)塊,支持多種解調(diào)器應(yīng)用和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用.

器件集成了所有的有源和無(wú)源元件,形成I/Q解調(diào)器輸出和ADC輸入之間的完整信號(hào)鏈.

器件還在基帶數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的換能器輸出和ADC輸入之間的形成完整信號(hào)鏈.對(duì)這些適當(dāng)功能不需要外接元件.


(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器,源電流1.5A,沉電流2A,增強(qiáng)隔離指標(biāo)為5.7-kVRMS.

UCC23511-Q1能驅(qū)動(dòng)高邊和低邊功率FET.

引腳對(duì)引腳替代光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時(shí)延為105ns,部件間延時(shí)失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態(tài)免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.工作結(jié)溫為–40C 到+150C.

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    2 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    20 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    12.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1 V    

Qg-柵極電荷:    13.2 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    26 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   2 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   18 S  

下降時(shí)間:   2 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   2.2 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   12 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   2.7 ns  

零件號(hào)別名:  BSC150N03LD G SP000359362  

單位重量:  154 mg

高工業(yè)系統(tǒng)安全可靠性由DRAM串聯(lián)式ECC和內(nèi)部軟件接入SRAM支持的ECC所左右.

ADAQ8088是雙路模擬系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP),集成了三個(gè)信號(hào)處理和藹調(diào)理區(qū)塊,支持多種解調(diào)器應(yīng)用和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用.

器件集成了所有的有源和無(wú)源元件,形成I/Q解調(diào)器輸出和ADC輸入之間的完整信號(hào)鏈.

器件還在基帶數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的換能器輸出和ADC輸入之間的形成完整信號(hào)鏈.對(duì)這些適當(dāng)功能不需要外接元件.


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