新型AS585xB數(shù)字讀取IC是16位、256通道的電荷數(shù)字轉(zhuǎn)換器，因極低的噪聲而聞名，適用于靜態(tài)和動(dòng)態(tài)數(shù)字X射線掃描儀、數(shù)字放射顯影、乳腺X射線、熒光檢查、介入成像以及工業(yè)無損檢測(cè)（NDT）系統(tǒng)，可以生成清晰、詳細(xì)的圖像。

AS5850A讀取IC的補(bǔ)充，擴(kuò)展了艾邁斯半導(dǎo)體獨(dú)特的醫(yī)學(xué)和工業(yè)圖像傳感解決方案組合，這些解決方案能夠提供出色精度、高采集速度、低噪聲和超低功耗。

這些特性意味著它們不但適用于更高性能的新型IGZO探測(cè)器，還兼容現(xiàn)有的TFT平板技術(shù)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 36 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 27 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 22 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power Transistor

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 29 S

下降時(shí)間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 9 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 22 ns

典型接通延遲時(shí)間: 14 ns

零件號(hào)別名: SP000676410 BSC32N2NS3GXT BSC320N20NS3GATMA1

單位重量: 100 mg

CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度雙向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)參考設(shè)計(jì),采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A雙路隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,以得到大功率密度電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(OBC).

參考設(shè)計(jì)采用Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高頻開關(guān)性能,得到小型和輕的成本效益的系統(tǒng).

峰值效率為96.5%,功率密度為53 W/in^3或3 KW/L.外形尺寸為220mmx180mmx50mm.參考設(shè)計(jì)采用通用單相輸入電壓,90V和265V之間.

http://yushuo.51dzw.com深圳市裕碩科技有限公司

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）