器件的數(shù)據(jù)速率為50Mbps,隔離層在1060 VRMS工作電壓首有高壽命,高達(dá)5000 VRMS隔離指標(biāo),典型CMTI為±75 kV/μs,電源電壓為1,71V到1.89V和2.25V到5.5V.

具有1.71V到5.5V的電平轉(zhuǎn)移.1Mbps時(shí)每路的電流為1.8mA,傳輸時(shí)延為11ns,器件工作溫度–40C 到 +125C,滿足AEC-Q100規(guī)范和VDA320隔離要求.

主要用在混合和電動(dòng)蕩汽車牽引系統(tǒng),電池管理系統(tǒng)(BMS),車載充電器,牽引逆變器,DC/DC轉(zhuǎn)換器,逆變器和馬達(dá)控制,電源,電網(wǎng)和電表以及電器設(shè)備.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 19.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 17 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 2

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 18 S

下降時(shí)間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 21 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 16 ns

典型接通延遲時(shí)間: 11 ns

零件號(hào)別名: BSC252N10NSF G SP000379608

單位重量: 159 mg

數(shù)字X射線平板式探測儀（FPD）的一流讀取IC家族推出了新產(chǎn)品--- AS585xB系列，該系列器件為客戶提供了全新的靈活連接器選項(xiàng)，更降低了其整合到系統(tǒng)中的成本。

在輸入電源或信號(hào)丟失時(shí),默認(rèn)輸出是高電平(無后綴F器件),默認(rèn)輸出是低電平(帶后綴F器件).

器件采用 2.86mm x 2.06mm 35引腳WLP封裝.主要用在高達(dá)16V輸入的非電池供電應(yīng)用和具有EN控制的高達(dá)16V輸入的電池供電的應(yīng)用.

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