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兩個獨立的隔離驅(qū)動器Sub-GHz LPWAN網(wǎng)絡技術(shù)

發(fā)布時間:2021/4/28 13:04:23 訪問次數(shù):715

0.5A和4A隔離驅(qū)動器(ISOdriver),在單個封裝內(nèi)組合了兩個獨立的隔離驅(qū)動器.

Si8230/1/3/4是高邊/低邊驅(qū)動器,而Si8232/5/7/8是雙驅(qū)動器.輸出電流為0.5A(Si8230/1/2/7),輸出電流為4A(Si8233/4/5/8).所有驅(qū)動器最大工作電壓為24V.

Si823x系列采用該公司的專有的硅隔離技術(shù),經(jīng)受5 kVRMS電壓per UL1577, 傳輸時間為45ns.驅(qū)動器輸出可以接到正電源或負電源的同一或分立的地.輸入電平和TTL電平兼容,獨立控制輸入(Si8230/2/3/5/7/8)或PWM輸入((Si8231/4)的時延大于400mV.

分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

11A(Ta),39A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)

12 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)

2V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),28W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

PG-TDSON-8-5

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

30V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)

20nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)

1500pF @ 15V

基本產(chǎn)品編號

BSC120

使用STM32WL無線系統(tǒng)級芯片(SoC)開發(fā)Mioty設備。

mioty承諾讓激動人心的新型物聯(lián)網(wǎng)應用Massive IoT變?yōu)榭赡,如,可覆蓋廣闊的地理區(qū)域。Mioty協(xié)議棧進一步加強了STM32WL SoC的生態(tài)系統(tǒng)。

STM32WL SoC支持各種常見的Sub-GHz LPWAN網(wǎng)絡技術(shù),例如,LoRaWAN、Sigfox和wM-Bus,并為用戶提供獨一無二的功能集成度,從而節(jié)省空間、電能和上市時間。

Mioty通信協(xié)議采用一項先進的已被歐洲電信標準協(xié)會(ETSI)批準為電信標準的消息拆分發(fā)送技術(shù)。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

0.5A和4A隔離驅(qū)動器(ISOdriver),在單個封裝內(nèi)組合了兩個獨立的隔離驅(qū)動器.

Si8230/1/3/4是高邊/低邊驅(qū)動器,而Si8232/5/7/8是雙驅(qū)動器.輸出電流為0.5A(Si8230/1/2/7),輸出電流為4A(Si8233/4/5/8).所有驅(qū)動器最大工作電壓為24V.

Si823x系列采用該公司的專有的硅隔離技術(shù),經(jīng)受5 kVRMS電壓per UL1577, 傳輸時間為45ns.驅(qū)動器輸出可以接到正電源或負電源的同一或分立的地.輸入電平和TTL電平兼容,獨立控制輸入(Si8230/2/3/5/7/8)或PWM輸入((Si8231/4)的時延大于400mV.

分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

11A(Ta),39A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)

12 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)

2V @ 250μA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),28W(Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

PG-TDSON-8-5

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss)

30V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)

20nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)

1500pF @ 15V

基本產(chǎn)品編號

BSC120

使用STM32WL無線系統(tǒng)級芯片(SoC)開發(fā)Mioty設備。

mioty承諾讓激動人心的新型物聯(lián)網(wǎng)應用Massive IoT變?yōu)榭赡,如,可覆蓋廣闊的地理區(qū)域。Mioty協(xié)議棧進一步加強了STM32WL SoC的生態(tài)系統(tǒng)。

STM32WL SoC支持各種常見的Sub-GHz LPWAN網(wǎng)絡技術(shù),例如,LoRaWAN、Sigfox和wM-Bus,并為用戶提供獨一無二的功能集成度,從而節(jié)省空間、電能和上市時間。

Mioty通信協(xié)議采用一項先進的已被歐洲電信標準協(xié)會(ETSI)批準為電信標準的消息拆分發(fā)送技術(shù)。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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