傳感器還提供無磁滯的輸出信號。±0.2％的非線性誤差和滿量程的±0.005％的噪聲性能允許在高達8kHz的信號帶寬下進行精確的電流測量。

TDK使用成熟的霍爾傳感器技術來構造CUR4000。通過對非易失性存儲器進行編程，可以根據(jù)磁路調整諸如溫度相關增益和失調之類的主要特性。

根據(jù)ISO 26262的規(guī)定，CUR 4000被定義為支持SEooC ASIL-B，具有數(shù)種板載診斷功能，該功能使用冗余技術或與其他電流傳感技術相結合，為具有更高ASIL級別的電流傳感器模塊奠定了基礎。

分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

63A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

10.9 毫歐 @ 46A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 45μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

78W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

PG-TDSON-8-1

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓（Vdss）

100V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

35nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

2500pF @ 50V

基本產(chǎn)品編號

BSC109

這項技術的射頻傳輸時間極短，有助于延長設備續(xù)航時間，沒有給大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)設備換電池的后勤支持問題。此外，傳輸時間短還可以最大程度地減少附近射頻信號的干擾，并允許在同一網(wǎng)絡上共存數(shù)千個Mioty節(jié)點。

i.MX RT1060還有豐富的音頻和視頻特性,包括LCD顯示,基本2D圖像,照相機接口,SPDIF和I2S音頻接口,以及模擬接口如ADC,ACMP和TSC.

主要用在馬達控制,家用電器和工業(yè)人機接口(HMI).

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）