8kHz的信號帶寬下的電流測量支持SEooC ASIL-B
發(fā)布時間:2021/4/28 18:03:10 訪問次數(shù):359
傳感器還提供無磁滯的輸出信號。±0.2%的非線性誤差和滿量程的±0.005%的噪聲性能允許在高達8kHz的信號帶寬下進行精確的電流測量。
TDK使用成熟的霍爾傳感器技術(shù)來構(gòu)造CUR4000。通過對非易失性存儲器進行編程,可以根據(jù)磁路調(diào)整諸如溫度相關(guān)增益和失調(diào)之類的主要特性。
根據(jù)ISO 26262的規(guī)定,CUR 4000被定義為支持SEooC ASIL-B,具有數(shù)種板載診斷功能,該功能使用冗余技術(shù)或與其他電流傳感技術(shù)相結(jié)合,為具有更高ASIL級別的電流傳感器模塊奠定了基礎(chǔ)。
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel®
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
63A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)
10.9 毫歐 @ 46A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 45μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TDSON-8-1
封裝/外殼
8-PowerTDFN
漏源電壓(Vdss)
100V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
35nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
2500pF @ 50V
基本產(chǎn)品編號
BSC109
i.MX RT1060還有豐富的音頻和視頻特性,包括LCD顯示,基本2D圖像,照相機接口,SPDIF和I2S音頻接口,以及模擬接口如ADC,ACMP和TSC.
主要用在馬達控制,家用電器和工業(yè)人機接口(HMI).
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
傳感器還提供無磁滯的輸出信號!0.2%的非線性誤差和滿量程的±0.005%的噪聲性能允許在高達8kHz的信號帶寬下進行精確的電流測量。
TDK使用成熟的霍爾傳感器技術(shù)來構(gòu)造CUR4000。通過對非易失性存儲器進行編程,可以根據(jù)磁路調(diào)整諸如溫度相關(guān)增益和失調(diào)之類的主要特性。
根據(jù)ISO 26262的規(guī)定,CUR 4000被定義為支持SEooC ASIL-B,具有數(shù)種板載診斷功能,該功能使用冗余技術(shù)或與其他電流傳感技術(shù)相結(jié)合,為具有更高ASIL級別的電流傳感器模塊奠定了基礎(chǔ)。
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel®
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
63A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)
10.9 毫歐 @ 46A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 45μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TDSON-8-1
封裝/外殼
8-PowerTDFN
漏源電壓(Vdss)
100V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
35nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
2500pF @ 50V
基本產(chǎn)品編號
BSC109
i.MX RT1060還有豐富的音頻和視頻特性,包括LCD顯示,基本2D圖像,照相機接口,SPDIF和I2S音頻接口,以及模擬接口如ADC,ACMP和TSC.
主要用在馬達控制,家用電器和工業(yè)人機接口(HMI).
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)