低壓溝槽結構的U-MOSⅩ-H工藝的低柵極開關電荷特性
發(fā)布時間:2021/5/1 20:25:39 訪問次數(shù):1009
MCU支持安全標準IEC60730的硬件,也可提供RL78系列開發(fā)工具. RAJ306001的工作電壓為6V到30V,
RAJ306010工作電壓為6V 到 42V,而RAJ3060xxGNP工作溫度-40 到 +85C, RAJ3060xxZGNP工作溫度為-40 到 +105C.主要用在電動工具,花園工具和真空清潔器以及打印機,風扇,泵和機器人.
工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性。這降低了漏源導通電阻x柵極開關電荷的值（開關應用的品質(zhì)因數(shù)）。
工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性。這降低了漏源導通電阻x柵極開關電荷值（開關應用的品質(zhì)因數(shù)）。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 電源開關 IC - 配電
RoHS: N
類型: High Side
輸出電流: 115 A
電流限制: 220 A
導通電阻—最大值: 2.8 mOhms
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-218AB-5
封裝: Tube
產(chǎn)品: Power Switches
商標: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 360000 mW
產(chǎn)品類型: Power Switch ICs - Power Distribution
工廠包裝數(shù)量: 250
子類別: Switch ICs
零件號別名: SP000011264 BTS550PE3146NK BTS55PE3146XK BTS550PE3146NKSA1
10款適用于工業(yè)設備開關電源的新一代80 V N溝道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產(chǎn)品。
共提供三種類型的封裝： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用雙列直插式封裝TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用絕緣型直插式封裝TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用貼片式封裝DPAK。
新產(chǎn)品采用新一代具有低壓溝槽結構的U-MOSⅩ-H工藝，具有業(yè)內(nèi)領先的[1]低漏源導通電阻。這減少了導通損耗，有助于降低設備的功耗。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
MCU支持安全標準IEC60730的硬件,也可提供RL78系列開發(fā)工具. RAJ306001的工作電壓為6V到30V,
RAJ306010工作電壓為6V 到 42V,而RAJ3060xxGNP工作溫度-40 到 +85C, RAJ3060xxZGNP工作溫度為-40 到 +105C.主要用在電動工具,花園工具和真空清潔器以及打印機,風扇,泵和機器人.
工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性。這降低了漏源導通電阻x柵極開關電荷的值（開關應用的品質(zhì)因數(shù)）。
工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性。這降低了漏源導通電阻x柵極開關電荷值（開關應用的品質(zhì)因數(shù)）。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 電源開關 IC - 配電
RoHS: N
類型: High Side
輸出電流: 115 A
電流限制: 220 A
導通電阻—最大值: 2.8 mOhms
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-218AB-5
封裝: Tube
產(chǎn)品: Power Switches
商標: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 360000 mW
產(chǎn)品類型: Power Switch ICs - Power Distribution
工廠包裝數(shù)量: 250
子類別: Switch ICs
零件號別名: SP000011264 BTS550PE3146NK BTS55PE3146XK BTS550PE3146NKSA1
10款適用于工業(yè)設備開關電源的新一代80 V N溝道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產(chǎn)品。
共提供三種類型的封裝： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用雙列直插式封裝TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用絕緣型直插式封裝TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用貼片式封裝DPAK。
新產(chǎn)品采用新一代具有低壓溝槽結構的U-MOSⅩ-H工藝，具有業(yè)內(nèi)領先的[1]低漏源導通電阻。這減少了導通損耗，有助于降低設備的功耗。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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