100G和400G光鏈路和模塊技術(shù)的采用。該公司正在為每一個(gè)lambda收發(fā)器部署完整的100G系列產(chǎn)品，以建立高性能數(shù)據(jù)中心、云和無線連接。

作為其以客戶為中心和以合作伙伴為中心宗旨的一部分， Molex莫仕支持符合IEEE和MSA要求的完整產(chǎn)品組合和產(chǎn)品路線圖，以滿足數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互連和數(shù)據(jù)中心互連的要求。

 擴(kuò)展的光收發(fā)器系列包括100G-DR、100G-FR、100G-LR、400G-DR4（500m和2km）、400G-FR4、400G-ZR和400G-ZR+以及800G路線圖產(chǎn)品。

安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:800 VId-連續(xù)漏極電流:17 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:290 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.1 VQg-柵極電荷:88 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:227 W高度:4.4 mm長度:10 mm系列:晶體管類型:1 N-Channel寬度:9.25 mm下降時(shí)間:12 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:15 ns1000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72 ns典型接通延遲時(shí)間:25 ns單位重量:4 g

布線階段完成全局布線（global routing）、詳細(xì)布線（detail rout-ing）和檢查與修正（search&repair），然后采用拓?fù)渌惴▽?duì)布線進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)對(duì)電流漏功耗進(jìn)行優(yōu)化。

為了防止天線效應(yīng)的發(fā)生，在芯片完成階段對(duì)芯片進(jìn)行了天線效應(yīng)修復(fù)設(shè)計(jì)，此時(shí)芯片中依然存在空白區(qū)域，需要填充filer 以滿足DRC 的要求。

芯片的物理設(shè)計(jì)版圖，芯片的面積與功耗，可見總面積為2 794 371.012 703 μm2,總功耗為11.635 4 mW.經(jīng)過仿真后證明芯片于50 MHz時(shí)鐘頻率下正常工作，滿足設(shè)計(jì)要求，證明本次設(shè)計(jì)是正確有效的。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）