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100G和400G光鏈路和模塊技術(shù)的采用芯片的面積與功耗

發(fā)布時(shí)間:2021/5/6 21:45:50 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1488

100G和400G光鏈路和模塊技術(shù)的采用。該公司正在為每一個(gè)lambda收發(fā)器部署完整的100G系列產(chǎn)品,以建立高性能數(shù)據(jù)中心、云和無(wú)線(xiàn)連接。

作為其以客戶(hù)為中心和以合作伙伴為中心宗旨的一部分, Molex莫仕支持符合IEEE和MSA要求的完整產(chǎn)品組合和產(chǎn)品路線(xiàn)圖,以滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互連和數(shù)據(jù)中心互連的要求。

 擴(kuò)展的光收發(fā)器系列包括100G-DR、100G-FR、100G-LR、400G-DR4(500m和2km)、400G-FR4、400G-ZR和400G-ZR+以及800G路線(xiàn)圖產(chǎn)品。

安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:800 VId-連續(xù)漏極電流:17 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:290 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.1 VQg-柵極電荷:88 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:227 W高度:4.4 mm長(zhǎng)度:10 mm系列:晶體管類(lèi)型:1 N-Channel寬度:9.25 mm下降時(shí)間:12 ns產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET上升時(shí)間:15 ns1000子類(lèi)別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72 ns典型接通延遲時(shí)間:25 ns單位重量:4 g

布線(xiàn)階段完成全局布線(xiàn)(global routing)、詳細(xì)布線(xiàn)(detail rout-ing)和檢查與修正(search&repair),然后采用拓?fù)渌惴▽?duì)布線(xiàn)進(jìn)行優(yōu)化,同時(shí)對(duì)電流漏功耗進(jìn)行優(yōu)化。

為了防止天線(xiàn)效應(yīng)的發(fā)生,在芯片完成階段對(duì)芯片進(jìn)行了天線(xiàn)效應(yīng)修復(fù)設(shè)計(jì),此時(shí)芯片中依然存在空白區(qū)域,需要填充filer 以滿(mǎn)足DRC 的要求。

芯片的物理設(shè)計(jì)版圖,芯片的面積與功耗,可見(jiàn)總面積為2 794 371.012 703 μm2,總功耗為11.635 4 mW.經(jīng)過(guò)仿真后證明芯片于50 MHz時(shí)鐘頻率下正常工作,滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求,證明本次設(shè)計(jì)是正確有效的。


(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

100G和400G光鏈路和模塊技術(shù)的采用。該公司正在為每一個(gè)lambda收發(fā)器部署完整的100G系列產(chǎn)品,以建立高性能數(shù)據(jù)中心、云和無(wú)線(xiàn)連接。

作為其以客戶(hù)為中心和以合作伙伴為中心宗旨的一部分, Molex莫仕支持符合IEEE和MSA要求的完整產(chǎn)品組合和產(chǎn)品路線(xiàn)圖,以滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互連和數(shù)據(jù)中心互連的要求。

 擴(kuò)展的光收發(fā)器系列包括100G-DR、100G-FR、100G-LR、400G-DR4(500m和2km)、400G-FR4、400G-ZR和400G-ZR+以及800G路線(xiàn)圖產(chǎn)品。

安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:800 VId-連續(xù)漏極電流:17 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:290 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.1 VQg-柵極電荷:88 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:227 W高度:4.4 mm長(zhǎng)度:10 mm系列:晶體管類(lèi)型:1 N-Channel寬度:9.25 mm下降時(shí)間:12 ns產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET上升時(shí)間:15 ns1000子類(lèi)別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72 ns典型接通延遲時(shí)間:25 ns單位重量:4 g

布線(xiàn)階段完成全局布線(xiàn)(global routing)、詳細(xì)布線(xiàn)(detail rout-ing)和檢查與修正(search&repair),然后采用拓?fù)渌惴▽?duì)布線(xiàn)進(jìn)行優(yōu)化,同時(shí)對(duì)電流漏功耗進(jìn)行優(yōu)化。

為了防止天線(xiàn)效應(yīng)的發(fā)生,在芯片完成階段對(duì)芯片進(jìn)行了天線(xiàn)效應(yīng)修復(fù)設(shè)計(jì),此時(shí)芯片中依然存在空白區(qū)域,需要填充filer 以滿(mǎn)足DRC 的要求。

芯片的物理設(shè)計(jì)版圖,芯片的面積與功耗,可見(jiàn)總面積為2 794 371.012 703 μm2,總功耗為11.635 4 mW.經(jīng)過(guò)仿真后證明芯片于50 MHz時(shí)鐘頻率下正常工作,滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求,證明本次設(shè)計(jì)是正確有效的。


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