CISSOID IPM 智能功率模塊除采用了國際上最流行的SiC MOSFET芯片外，我們也與中國國內(nèi)的SiC芯片廠商開展深入合作，也相繼推出了基于中國國產(chǎn)SiC MOSFET的IPM模塊（CXT－PLA3SA550CA 和CMT－PLA3SB340CA）.

這些中國國產(chǎn)版的SiCIPM模塊一方面適應(yīng)了中國國內(nèi)的市場需求，另一方面亦促進(jìn)了與國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的共同發(fā)展。

Yole Development的市場調(diào)查報(bào)告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用需求一直推動(dòng)著結(jié)溫的升高，目前已達(dá)到150℃。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:43 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 Pd-功率耗散:300 mW 電壓容差:2 % 電壓溫度系數(shù):12 PPM / C 齊納電流:50 nA Zz - 齊納阻抗:150 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.15 mm 長度:3.1 mm 寬度:1.43 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors Ir - 反向電流 :50 nA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量10000 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號別名:BZX84B43-V-GS08 單位重量:8 mg

導(dǎo)通電阻僅有3.25mΩ，而開關(guān)損耗僅為分別為8.42mJ和7.05mJ（在600V300A 條件下）。

該超低能耗Flash存儲器系列還提供一系列豐富的節(jié)能特性，包括寬Vcc（1.65V至3.6V）運(yùn)行以延長電池壽命，100至300nA深度掉電模式可以在產(chǎn)品不使用時(shí)節(jié)省電能。

出色的擦除時(shí)間，加上低功耗高速運(yùn)行，將大大減少任何系統(tǒng)中消耗的總電能。這使得該系列閃存器件非常適合幫助延長小型電池供電的IoT設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間。