CISSOID提供的高溫芯片和模塊技術(shù)，已在石油鉆探等領(lǐng)域內(nèi)的長(zhǎng)期應(yīng)用中得到了充分的驗(yàn)證，可以滿足業(yè)內(nèi)最苛刻的應(yīng)用需求。

而新型AS5851B則在功率和速度的優(yōu)化之間實(shí)現(xiàn)了平衡。

傳感器模塊可接收峰值波長(zhǎng)為940 nm的發(fā)射器的紅外脈沖，工作電壓2.5 V~5.5 V，供電電流低至0.7 mA，對(duì)38 kHz載波頻率敏感。器件對(duì)電源電壓紋波噪聲不敏感，可屏蔽EMI，日光濾光片可抑制可見光。傳感器模塊符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:190 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V Qg-柵極電荷:0.33 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:325 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET 商標(biāo):Nexperia 下降時(shí)間:5 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:7 ns 工廠包裝數(shù)量10000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11 ns 典型接通延遲時(shí)間:6 ns 零件號(hào)別名:934066291235 單位重量:32 mg

AS585xB系列提供三種產(chǎn)品型號(hào)。AS5850B在低噪聲和高速度方面進(jìn)行了優(yōu)化，使FPD能夠在動(dòng)態(tài)或高速影像應(yīng)用（如外科X射線拍攝）中獲取高質(zhì)量的影像，同時(shí)降低輻射劑量，將患者影響降至最低。

同樣對(duì)于工業(yè)掃描應(yīng)用，AS5850B優(yōu)化后的線掃描時(shí)間為20μs，但可以在低至15μs的速度下運(yùn)行，這種高速度性能可提高自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)設(shè)備的吞吐量。

同樣在今天推出的AS5852B在低功耗運(yùn)行方面進(jìn)行了優(yōu)化，使電池供電的便攜式成像設(shè)備能夠在延長(zhǎng)電池使用時(shí)間的同時(shí)獲取高質(zhì)量的影像。