小型封裝內(nèi)高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器
發(fā)布時(shí)間:2021/5/13 18:13:45 訪問(wèn)次數(shù):189
小型緊湊的占位面積安裝擴(kuò)展了爬電距離,允許兩個(gè)功率FREDFET通過(guò)PCB進(jìn)行散熱.
BridgeSwitch系列提供內(nèi)部故障保護(hù)功能和外部系統(tǒng)電平監(jiān)測(cè).內(nèi)部故障保護(hù)包括用于兩個(gè)功率FREDFET和兩級(jí)熱過(guò)載保護(hù)的逐個(gè)周期的電流限制.
外部系統(tǒng)電平監(jiān)測(cè)包括帶有四個(gè)欠壓電平和一個(gè)過(guò)壓電平以及驅(qū)動(dòng)外部傳感器如NTC的DC總線檢測(cè).
全集成的半橋級(jí)效率高達(dá)99.2%,主要用在1或3相高壓PM和BLDC馬達(dá)驅(qū)動(dòng),高達(dá)400W逆變器輸出功率,包括洗碗機(jī)和電冰雪的家用電器,高效空調(diào)的冷凝器風(fēng)扇.
FET 類型N 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)30A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)3.3 毫歐 @ 15A,10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μAVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)3W(Ta),6W(Tc)工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝8-SO封裝/外殼8-SOIC(0.154"",3.90mm 寬)漏源電壓(Vdss)30V不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)125nC @ 10V不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)5370pF @ 15V
新型15 A、25 A和 40 A系列器件---SiC45x系列,擴(kuò)充其microBUCK®同步降壓穩(wěn)壓器,新型器件采用熱增強(qiáng)5mmx7mm PowerPAK® MLP34-57封裝,輸入電壓為4.5 V~ 20 V。
穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低,峰值效率達(dá)98 %,減少功率損耗。
Vishay Siliconix SiC45x系列穩(wěn)壓器符合PMBus 1.3電源系統(tǒng)管理標(biāo)準(zhǔn),功率密度和瞬變響應(yīng)能力優(yōu)于前代穩(wěn)壓器。
日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器,提高了功率密度。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
小型緊湊的占位面積安裝擴(kuò)展了爬電距離,允許兩個(gè)功率FREDFET通過(guò)PCB進(jìn)行散熱.
BridgeSwitch系列提供內(nèi)部故障保護(hù)功能和外部系統(tǒng)電平監(jiān)測(cè).內(nèi)部故障保護(hù)包括用于兩個(gè)功率FREDFET和兩級(jí)熱過(guò)載保護(hù)的逐個(gè)周期的電流限制.
外部系統(tǒng)電平監(jiān)測(cè)包括帶有四個(gè)欠壓電平和一個(gè)過(guò)壓電平以及驅(qū)動(dòng)外部傳感器如NTC的DC總線檢測(cè).
全集成的半橋級(jí)效率高達(dá)99.2%,主要用在1或3相高壓PM和BLDC馬達(dá)驅(qū)動(dòng),高達(dá)400W逆變器輸出功率,包括洗碗機(jī)和電冰雪的家用電器,高效空調(diào)的冷凝器風(fēng)扇.
FET 類型N 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)30A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)3.3 毫歐 @ 15A,10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μAVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)3W(Ta),6W(Tc)工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝8-SO封裝/外殼8-SOIC(0.154"",3.90mm 寬)漏源電壓(Vdss)30V不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)125nC @ 10V不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)5370pF @ 15V
新型15 A、25 A和 40 A系列器件---SiC45x系列,擴(kuò)充其microBUCK®同步降壓穩(wěn)壓器,新型器件采用熱增強(qiáng)5mmx7mm PowerPAK® MLP34-57封裝,輸入電壓為4.5 V~ 20 V。
穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低,峰值效率達(dá)98 %,減少功率損耗。
Vishay Siliconix SiC45x系列穩(wěn)壓器符合PMBus 1.3電源系統(tǒng)管理標(biāo)準(zhǔn),功率密度和瞬變響應(yīng)能力優(yōu)于前代穩(wěn)壓器。
日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器,提高了功率密度。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點(diǎn)擊
- 通用獨(dú)立參考無(wú)擴(kuò)頻(SRNS)及獨(dú)立參考擴(kuò)頻
- Series片上ISP二合一圖像傳感器SC1
- 三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
- 65kV/μs的典型共模瞬變抗擾度(CMTI
- 可編程壓擺率控制和BEMF檢測(cè)電路實(shí)現(xiàn)無(wú)傳感
- 隔離大電流和高效率IGBT驅(qū)動(dòng)器和圖騰柱拓?fù)?/a>
- 以Point Table定位進(jìn)行電路限制和2
- BLE的低功耗數(shù)據(jù)傳輸大寬高比觸摸傳感器
- 超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品適用于B等
- ARM Cortex-M0無(wú)線火災(zāi)檢測(cè)系統(tǒng)的
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同,EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- MOSFET 電感單片降壓開(kāi)關(guān)模式變換器優(yōu)勢(shì)
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無(wú)芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對(duì)位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究