超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品適用于B等級(jí)與BF等級(jí)醫(yī)療設(shè)備
發(fā)布時(shí)間:2021/5/5 16:28:31 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):449
輸入與輸出隔離為4kVac (2 x MoPP), 輸入與地隔離為 2kVac (1 x MoPP) ,輸出與地隔離為1.5kVac (1 x MoPP) , 適用于B等級(jí)與BF等級(jí)醫(yī)療設(shè)備。
對(duì)地漏電流小于200uA, 接觸漏電流小于50μA,高達(dá)5,000m工作海拔。
該產(chǎn)品取得IEC/EN/UL/CSA 60601-1與IEC/EN/UL/CSA 62368-1(申請(qǐng)中)安規(guī)認(rèn)證, 帶有符合低壓、EMC和ROHS2指令的CE標(biāo)志。符合EN 55011-B 與EN 55032-B (傳導(dǎo)與輻射) , 并滿(mǎn)足EN 61000-3-2 諧波, IEC 60601-1-2第四版與IEC 61000-4抗擾度標(biāo)準(zhǔn)。
制造商:NXP產(chǎn)品種類(lèi):邏輯門(mén)產(chǎn)品:Single-Function Gate邏輯功能:NAND邏輯系列:HEF4000柵極數(shù)量:4 Gate輸入線(xiàn)路數(shù)量:2 Input輸出線(xiàn)路數(shù)量:1 Output高電平輸出電流:- 3.6 mA低電平輸出電流:3.6 mA傳播延遲時(shí)間:185 ns電源電壓-最大:15 V電源電壓-最小:3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-14封裝:Bulk功能:NAND高度:1.45 mm輸入類(lèi)型:Schmitt Trigger長(zhǎng)度:8.75 mm寬度:4 mm商標(biāo):NXP Semiconductors邏輯類(lèi)型:CMOS工作電源電壓:3.3 V, 5 V, 9 V, 12 V產(chǎn)品類(lèi)型:Logic Gates子類(lèi)別:Logic ICs單位重量:338 mg
開(kāi)發(fā)的新產(chǎn)品通過(guò)優(yōu)化內(nèi)置FRD(Fast Recovery Diode,快速恢復(fù)二極管)的軟恢復(fù)性能和內(nèi)置IGBT,與普通產(chǎn)品相比,輻射噪聲降低6dB以上(峰值比較時(shí)),這使得削減以往所需的噪聲濾波器成為可能。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
輸入與輸出隔離為4kVac (2 x MoPP), 輸入與地隔離為 2kVac (1 x MoPP) ,輸出與地隔離為1.5kVac (1 x MoPP) , 適用于B等級(jí)與BF等級(jí)醫(yī)療設(shè)備。
對(duì)地漏電流小于200uA, 接觸漏電流小于50μA,高達(dá)5,000m工作海拔。
該產(chǎn)品取得IEC/EN/UL/CSA 60601-1與IEC/EN/UL/CSA 62368-1(申請(qǐng)中)安規(guī)認(rèn)證, 帶有符合低壓、EMC和ROHS2指令的CE標(biāo)志。符合EN 55011-B 與EN 55032-B (傳導(dǎo)與輻射) , 并滿(mǎn)足EN 61000-3-2 諧波, IEC 60601-1-2第四版與IEC 61000-4抗擾度標(biāo)準(zhǔn)。
制造商:NXP產(chǎn)品種類(lèi):邏輯門(mén)產(chǎn)品:Single-Function Gate邏輯功能:NAND邏輯系列:HEF4000柵極數(shù)量:4 Gate輸入線(xiàn)路數(shù)量:2 Input輸出線(xiàn)路數(shù)量:1 Output高電平輸出電流:- 3.6 mA低電平輸出電流:3.6 mA傳播延遲時(shí)間:185 ns電源電壓-最大:15 V電源電壓-最小:3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-14封裝:Bulk功能:NAND高度:1.45 mm輸入類(lèi)型:Schmitt Trigger長(zhǎng)度:8.75 mm寬度:4 mm商標(biāo):NXP Semiconductors邏輯類(lèi)型:CMOS工作電源電壓:3.3 V, 5 V, 9 V, 12 V產(chǎn)品類(lèi)型:Logic Gates子類(lèi)別:Logic ICs單位重量:338 mg
開(kāi)發(fā)的新產(chǎn)品通過(guò)優(yōu)化內(nèi)置FRD(Fast Recovery Diode,快速恢復(fù)二極管)的軟恢復(fù)性能和內(nèi)置IGBT,與普通產(chǎn)品相比,輻射噪聲降低6dB以上(峰值比較時(shí)),這使得削減以往所需的噪聲濾波器成為可能。
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