三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)的異常發(fā)熱點(diǎn)
發(fā)布時間:2021/5/8 13:15:07 訪問次數(shù):829
一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM），以滿足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。
此項高溫芯片和模塊技術(shù)平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統(tǒng)（電機(jī)、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應(yīng)成本大幅降低，并實(shí)現(xiàn)最佳能源效率。
CISSOID的IPM技術(shù)平臺可迅速適應(yīng)新的電壓、功率和冷卻要求，極大地加速了基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計，從而實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度。
2kW及更高功率的服務(wù)器電源應(yīng)用，使用傳統(tǒng)硅器件來實(shí)現(xiàn)這種性能水平，電路設(shè)計復(fù)雜而具有挑戰(zhàn)性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。
模塊的額定阻斷電壓為1200V，最大連續(xù)電流為340A.
FLIR T560擁有卓越的紅外分辨率（640*480）非常適合遠(yuǎn)距離大范圍掃描，配備各種先進(jìn)的功能，有助于專業(yè)人員排查發(fā)電、輸配電及制造設(shè)備中的異常發(fā)熱點(diǎn)，及時定位隱患和安排維護(hù)工作。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM），以滿足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。
此項高溫芯片和模塊技術(shù)平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統(tǒng)（電機(jī)、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應(yīng)成本大幅降低，并實(shí)現(xiàn)最佳能源效率。
CISSOID的IPM技術(shù)平臺可迅速適應(yīng)新的電壓、功率和冷卻要求，極大地加速了基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計，從而實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度。
2kW及更高功率的服務(wù)器電源應(yīng)用，使用傳統(tǒng)硅器件來實(shí)現(xiàn)這種性能水平，電路設(shè)計復(fù)雜而具有挑戰(zhàn)性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。
模塊的額定阻斷電壓為1200V，最大連續(xù)電流為340A.
FLIR T560擁有卓越的紅外分辨率（640*480）非常適合遠(yuǎn)距離大范圍掃描，配備各種先進(jìn)的功能，有助于專業(yè)人員排查發(fā)電、輸配電及制造設(shè)備中的異常發(fā)熱點(diǎn)，及時定位隱患和安排維護(hù)工作。
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