RAJ306001和RAJ306010是用于三相無刷DC馬達(dá)應(yīng)用的通用馬達(dá)控制集成電路,在同一封裝內(nèi)組合了MCU(RL78/G1F)和預(yù)驅(qū)動(dòng)器. 

預(yù)驅(qū)動(dòng)器包括半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,5V穩(wěn)壓器,電流檢測(cè)放大器,霍爾IC比較器, Back-EMF放大器和各種保護(hù)功能(超溫,過壓/欠壓,過流和馬達(dá)鎖住檢測(cè)).

三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器提供高效率和高度靈活調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)峰值電流(500mA),自對(duì)準(zhǔn)死區(qū)發(fā)生器,可選擇柵極驅(qū)動(dòng)電壓和控制信號(hào)配置功能.

FET 類型P 通道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）42 毫歐 @ 5.9A，10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μAVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.4W（Ta），5W（Tc）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝8-SO封裝/外殼8-SOIC（0.154""，3.90mm 寬）漏源電壓（Vdss）30V不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）21nC @ 10V不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）590pF @ 15V

高精度隔離式二階sigma-delta調(diào)制器，可提高電機(jī)控制、電動(dòng)汽車充電站、太陽能逆變器、UPS電源以及服務(wù)器和電信電源等工業(yè)應(yīng)用的性能和可靠性。

新產(chǎn)品將幅度高達(dá)±320mV的模擬輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為高達(dá)25Msamples /s的高速1位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流。

ISOSD61具有TTL/CMOS兼容的時(shí)鐘輸入和數(shù)據(jù)輸出信號(hào)電平，而ISOSD61L則兼容低壓差分信號(hào)(LVDS)。

兩款產(chǎn)品的模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)分辨率都是16位，典型信噪比(SNR)均為86dB。

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