單片集成ADC和隔離式UART外設(shè)功能在2.0V和5.5V間
發(fā)布時間:2021/5/13 18:36:15 訪問次數(shù):1096
MCP6C02是零飄移高邊電流檢測放大器,具有增益20, 50和100 V/V.
共模輸入范圍(VIP)是+3V到+65V,差分模式輸入范圍(VDM = VIP – VIM)支持單向和雙向應(yīng)用.器件的電源在2.0V和5.5V間.
SOT-23封裝的器件工作溫度-40C到 +125C (E-溫度),而3×3 VDFN封裝的器件工作溫度-40C到 +150C (H溫度).
零飄移架構(gòu)支持非常低的輸入誤差,允許設(shè)計采用并聯(lián)電阻的值較低,從而更低的功耗.
FET 類型N 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)17A(Ta)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)3.2 毫歐 @ 25A,10V不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 250μAVgs(最大值)±12VFET 功能-功率耗散(最大值)1.6W(Ta)工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝8-SO封裝/外殼8-SOIC(0.154"",3.90mm 寬)漏源電壓(Vdss)30V不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)80nC @ 4.5V不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)8340pF @ 15V
得益于外部25MHz采樣頻率,這兩款調(diào)制器適合處理帶寬非常寬的輸入信號,具有出色的高頻信號處理能力和測量精度,為最新的基于碳化硅(SiC)等先進功率技術(shù)的逆變器和快速開關(guān)在高分辨率電機控制系統(tǒng)中的應(yīng)用做好了準備。
通過單片集成ADC和隔離式UART外設(shè)功能,ISOSD61和ISOSD61L有助于減少物料清單成本,并提高抗噪性和可靠性,降低最終應(yīng)用的總體成本。
不需要分立式電流檢測傳感器,因為可以使用更小的電流采樣電阻芯片。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
MCP6C02是零飄移高邊電流檢測放大器,具有增益20, 50和100 V/V.
共模輸入范圍(VIP)是+3V到+65V,差分模式輸入范圍(VDM = VIP – VIM)支持單向和雙向應(yīng)用.器件的電源在2.0V和5.5V間.
SOT-23封裝的器件工作溫度-40C到 +125C (E-溫度),而3×3 VDFN封裝的器件工作溫度-40C到 +150C (H溫度).
零飄移架構(gòu)支持非常低的輸入誤差,允許設(shè)計采用并聯(lián)電阻的值較低,從而更低的功耗.
FET 類型N 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)17A(Ta)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)3.2 毫歐 @ 25A,10V不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 250μAVgs(最大值)±12VFET 功能-功率耗散(最大值)1.6W(Ta)工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝8-SO封裝/外殼8-SOIC(0.154"",3.90mm 寬)漏源電壓(Vdss)30V不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)80nC @ 4.5V不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)8340pF @ 15V
得益于外部25MHz采樣頻率,這兩款調(diào)制器適合處理帶寬非常寬的輸入信號,具有出色的高頻信號處理能力和測量精度,為最新的基于碳化硅(SiC)等先進功率技術(shù)的逆變器和快速開關(guān)在高分辨率電機控制系統(tǒng)中的應(yīng)用做好了準備。
通過單片集成ADC和隔離式UART外設(shè)功能,ISOSD61和ISOSD61L有助于減少物料清單成本,并提高抗噪性和可靠性,降低最終應(yīng)用的總體成本。
不需要分立式電流檢測傳感器,因為可以使用更小的電流采樣電阻芯片。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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