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GaN技術(shù)單片整合功率級(jí)以及驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路

發(fā)布時(shí)間:2021/5/16 8:30:48 訪問(wèn)次數(shù):938

在智能功率技術(shù)、寬帶隙半導(dǎo)體材料和封裝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)和創(chuàng)新成果，STi2GaN系列采用GaN技術(shù)單片整合功率級(jí)以及驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，并通過(guò)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)解決方案增加了數(shù)據(jù)處理和控制電路，滿足市場(chǎng)對(duì)特殊用途專用芯片的需求。

STi2GaN解決方案采用意法半導(dǎo)體的新型無(wú)引線封裝技術(shù)，提高了芯片的穩(wěn)定性、可靠性和性能。

STi2GaN延續(xù)了ST長(zhǎng)期以來(lái)在復(fù)合材料和智能功率產(chǎn)品創(chuàng)新方面的成功經(jīng)驗(yàn)，主要應(yīng)用包括汽車以及需要高密度、高可靠性和高功率的電源。

制造商:NXP 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-64 程序存儲(chǔ)器大小:64 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:57 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 kB 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 封裝:Tray 程序存儲(chǔ)器類型:Flash 商標(biāo):NXP Semiconductors 數(shù)據(jù) Ram 類型:RAM 數(shù)據(jù) ROM 大小:256 B 數(shù)據(jù) Rom 類型:EEPROM 接口類型:I2C, SPI, UART 濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:16 Channel 計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:5 Timer 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量160 子類別:Microcontrollers - MCU 零件號(hào)別名:935318162557 單位重量:346.550 mg

eGaN FET可以在250 kHz的開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)97%的效率，可實(shí)現(xiàn)每相800 W，而硅基解決方案只能實(shí)現(xiàn)每相600 W，因?yàn)楹笳咴?00 kHz的最大開關(guān)頻率下，電感電流受限。

通過(guò)使用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有可能將3.5 kW轉(zhuǎn)換器的相數(shù)從五相減到四相，并同時(shí)提高效率。

工作在250 kHz頻率下的四相氮化鎵基轉(zhuǎn)換器的效率，比工作在100 kHz的五相硅MOSFET轉(zhuǎn)換器高出1.5%。

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管展示卓越的可靠性，是這種要求非常高的應(yīng)用的理想器件。


(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）




在智能功率技術(shù)、寬帶隙半導(dǎo)體材料和封裝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)和創(chuàng)新成果，STi2GaN系列采用GaN技術(shù)單片整合功率級(jí)以及驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，并通過(guò)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)解決方案增加了數(shù)據(jù)處理和控制電路，滿足市場(chǎng)對(duì)特殊用途專用芯片的需求。

STi2GaN解決方案采用意法半導(dǎo)體的新型無(wú)引線封裝技術(shù)，提高了芯片的穩(wěn)定性、可靠性和性能。

STi2GaN延續(xù)了ST長(zhǎng)期以來(lái)在復(fù)合材料和智能功率產(chǎn)品創(chuàng)新方面的成功經(jīng)驗(yàn)，主要應(yīng)用包括汽車以及需要高密度、高可靠性和高功率的電源。

制造商:NXP 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-64 程序存儲(chǔ)器大小:64 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:57 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 kB 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 封裝:Tray 程序存儲(chǔ)器類型:Flash 商標(biāo):NXP Semiconductors 數(shù)據(jù) Ram 類型:RAM 數(shù)據(jù) ROM 大小:256 B 數(shù)據(jù) Rom 類型:EEPROM 接口類型:I2C, SPI, UART 濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:16 Channel 計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:5 Timer 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量160 子類別:Microcontrollers - MCU 零件號(hào)別名:935318162557 單位重量:346.550 mg

eGaN FET可以在250 kHz的開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)97%的效率，可實(shí)現(xiàn)每相800 W，而硅基解決方案只能實(shí)現(xiàn)每相600 W，因?yàn)楹笳咴?00 kHz的最大開關(guān)頻率下，電感電流受限。

通過(guò)使用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有可能將3.5 kW轉(zhuǎn)換器的相數(shù)從五相減到四相，并同時(shí)提高效率。

工作在250 kHz頻率下的四相氮化鎵基轉(zhuǎn)換器的效率，比工作在100 kHz的五相硅MOSFET轉(zhuǎn)換器高出1.5%。

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管展示卓越的可靠性，是這種要求非常高的應(yīng)用的理想器件。


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