主動猝滅電路通過它加快SPAD器件的恢復(fù)速度
發(fā)布時間:2021/6/1 23:29:14 訪問次數(shù):383
開關(guān)采用ST公司的VIPower® M0技術(shù),允許在同以芯片內(nèi)集成真正的功率MOSFET和智能信號/保護電路.
三個芯片封裝在PowerSSO-36封裝內(nèi),有三個露出的小島以最優(yōu)化散熱性能.
該封裝特別設(shè)計用在汽車苛刻的環(huán)境中.VNH7040AY滿足汽車AEC-Q100資質(zhì),輸出電流35A,3V CMOS兼容輸入,具有欠壓關(guān)斷,超壓箝住,熱關(guān)斷以及交叉導(dǎo)通保護和電流與功率限制.
器件具有非常低的待機功耗,PWM工作高達20kHz.器件的多重感測功能包括模擬馬達電流反饋,片上溫度監(jiān)測和電池電壓監(jiān)測.
制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器 RoHS: 詳細信息 類型:SDRAM - DDR2 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-84 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:128 M x 16 存儲容量:2 Gbit 最大時鐘頻率:800 MHz 訪問時間:400 ps 電源電壓-最大:1.9 V 電源電壓-最小:1.7 V 電源電流—最大值:105 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列:MT47H 封裝:Tray 商標(biāo):Micron 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 工廠包裝數(shù)量:1260 子類別:Memory & Data Storage
全新產(chǎn)品包含主動猝滅電路,可以通過它加快SPAD器件的恢復(fù)速度,使其為進一步光子探測做好準(zhǔn)備。8引腳SOT23封裝.主要用在工業(yè)設(shè)備,儀表,馬達控制和建筑物自動化.
AXISENSE-G動態(tài)傾角傳感器使用陀螺儀補償方法面對惡劣的動態(tài)環(huán)境,全球高空作業(yè)平臺和農(nóng)業(yè)與施工車輛安全法規(guī)比起以前越來越嚴(yán)格了。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
開關(guān)采用ST公司的VIPower® M0技術(shù),允許在同以芯片內(nèi)集成真正的功率MOSFET和智能信號/保護電路.
三個芯片封裝在PowerSSO-36封裝內(nèi),有三個露出的小島以最優(yōu)化散熱性能.
該封裝特別設(shè)計用在汽車苛刻的環(huán)境中.VNH7040AY滿足汽車AEC-Q100資質(zhì),輸出電流35A,3V CMOS兼容輸入,具有欠壓關(guān)斷,超壓箝住,熱關(guān)斷以及交叉導(dǎo)通保護和電流與功率限制.
器件具有非常低的待機功耗,PWM工作高達20kHz.器件的多重感測功能包括模擬馬達電流反饋,片上溫度監(jiān)測和電池電壓監(jiān)測.
制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器 RoHS: 詳細信息 類型:SDRAM - DDR2 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-84 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:128 M x 16 存儲容量:2 Gbit 最大時鐘頻率:800 MHz 訪問時間:400 ps 電源電壓-最大:1.9 V 電源電壓-最小:1.7 V 電源電流—最大值:105 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列:MT47H 封裝:Tray 商標(biāo):Micron 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 工廠包裝數(shù)量:1260 子類別:Memory & Data Storage
全新產(chǎn)品包含主動猝滅電路,可以通過它加快SPAD器件的恢復(fù)速度,使其為進一步光子探測做好準(zhǔn)備。8引腳SOT23封裝.主要用在工業(yè)設(shè)備,儀表,馬達控制和建筑物自動化.
AXISENSE-G動態(tài)傾角傳感器使用陀螺儀補償方法面對惡劣的動態(tài)環(huán)境,全球高空作業(yè)平臺和農(nóng)業(yè)與施工車輛安全法規(guī)比起以前越來越嚴(yán)格了。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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