100nF單層電容具備X7R的溫度穩(wěn)定性的電壓過沖
發(fā)布時(shí)間:2021/6/8 7:38:42 訪問次數(shù):557
低寄生系數(shù)可防止在電源關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)明顯的電壓過沖。
新系列電容器配備阻燃等級(jí)為UL 94 V0的柱形塑料外殼,支持M8螺栓和M5螺紋孔兩種連接方式,典型應(yīng)用包括光伏系統(tǒng)中的快速切換轉(zhuǎn)換器和逆變器,鐵路技術(shù)中的牽引,以及感應(yīng)加熱系統(tǒng)。
產(chǎn)品憑借緊湊的尺寸,X7R的溫度穩(wěn)定性以及金絲鍵合裝配成為高性能電路不可或缺的一部分。
SCALE-2門極驅(qū)動(dòng)器使設(shè)計(jì)者能夠優(yōu)化動(dòng)態(tài)開關(guān)性能、提高整機(jī)精度并增強(qiáng)功能,其集成的高級(jí)有源鉗位電路可為IGBT提供保護(hù)。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:音頻放大器 系列: 產(chǎn)品:Audio Amplifiers 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-14 THD + 噪聲:0.00003 % 電源電壓-最大:34 V 電源電壓-最小:5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:8.64 mm 輸出電流:26 mA 電源類型:Dual 寬度:3.91 mm 商標(biāo):Texas Instruments 通道數(shù)量:4 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:55 MHz Ib - 輸入偏流:72 nA 最大雙重電源電壓:+/- 17 V 最小雙重電源電壓:+/- 2.5 V 工作電源電流:18.5 mA 工作電源電壓:2.5 V to 17 V 產(chǎn)品類型:Audio Amplifiers PSRR - 電源抑制比:110 dB SR - 轉(zhuǎn)換速率 :20 V/us 55 子類別:Audio ICs Vos - 輸入偏置電壓 :0.7 mV at +/- 15 V 單位重量:241 mg
V 系列單層電容(包括新推出的100nF單層電容)的設(shè)計(jì)旨在以更小的尺寸提供更高的容值。
100nF單層電容采用具有 X7R溫度特性的 II 類電介質(zhì)材料,可在寬頻范圍內(nèi)作隔直和射頻旁路應(yīng)用。其他用途包括濾波、調(diào)諧和耦合應(yīng)用。
100nF單層電容具備X7R的溫度穩(wěn)定性,符合RoHS規(guī)范,并提供最高等級(jí)的抗?jié)穸饶芰Γ∕SL-1)。它具有很高的電容密度,適用于導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或金錫焊接裝配。
在射頻旁路應(yīng)用中,100nF電容器有助于消除電源線噪聲。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
低寄生系數(shù)可防止在電源關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)明顯的電壓過沖。
新系列電容器配備阻燃等級(jí)為UL 94 V0的柱形塑料外殼,支持M8螺栓和M5螺紋孔兩種連接方式,典型應(yīng)用包括光伏系統(tǒng)中的快速切換轉(zhuǎn)換器和逆變器,鐵路技術(shù)中的牽引,以及感應(yīng)加熱系統(tǒng)。
產(chǎn)品憑借緊湊的尺寸,X7R的溫度穩(wěn)定性以及金絲鍵合裝配成為高性能電路不可或缺的一部分。
SCALE-2門極驅(qū)動(dòng)器使設(shè)計(jì)者能夠優(yōu)化動(dòng)態(tài)開關(guān)性能、提高整機(jī)精度并增強(qiáng)功能,其集成的高級(jí)有源鉗位電路可為IGBT提供保護(hù)。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:音頻放大器 系列: 產(chǎn)品:Audio Amplifiers 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-14 THD + 噪聲:0.00003 % 電源電壓-最大:34 V 電源電壓-最小:5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:8.64 mm 輸出電流:26 mA 電源類型:Dual 寬度:3.91 mm 商標(biāo):Texas Instruments 通道數(shù)量:4 Channel CMRR - 共模抑制比:110 dB 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:55 MHz Ib - 輸入偏流:72 nA 最大雙重電源電壓:+/- 17 V 最小雙重電源電壓:+/- 2.5 V 工作電源電流:18.5 mA 工作電源電壓:2.5 V to 17 V 產(chǎn)品類型:Audio Amplifiers PSRR - 電源抑制比:110 dB SR - 轉(zhuǎn)換速率 :20 V/us 55 子類別:Audio ICs Vos - 輸入偏置電壓 :0.7 mV at +/- 15 V 單位重量:241 mg
V 系列單層電容(包括新推出的100nF單層電容)的設(shè)計(jì)旨在以更小的尺寸提供更高的容值。
100nF單層電容采用具有 X7R溫度特性的 II 類電介質(zhì)材料,可在寬頻范圍內(nèi)作隔直和射頻旁路應(yīng)用。其他用途包括濾波、調(diào)諧和耦合應(yīng)用。
100nF單層電容具備X7R的溫度穩(wěn)定性,符合RoHS規(guī)范,并提供最高等級(jí)的抗?jié)穸饶芰Γ∕SL-1)。它具有很高的電容密度,適用于導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或金錫焊接裝配。
在射頻旁路應(yīng)用中,100nF電容器有助于消除電源線噪聲。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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