400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四電平飛跨電容（FCML）圖騰柱無橋整流器，適用于數(shù)據(jù)中心，它使用了最新的200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（EPC2215）。

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)優(yōu)越特性使得轉(zhuǎn)換器能夠?qū)崿F(xiàn)高功率密度,超高效率和低諧波失真。

柵極電荷（QG）較基準(zhǔn)硅MOSFET器件小十倍，并且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復(fù)電荷（QRR），從而使得D類音頻放大器可以實(shí)現(xiàn)更低的失真，以及實(shí)現(xiàn)更高效的同步整流器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)容量:64 kbit 組織:4 k x 16 訪問時(shí)間:15 ns 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 電源電流—最大值:300 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFP-100 數(shù)據(jù)速率:SDR 存儲(chǔ)類型:SDR 類型:Asynchronous 商標(biāo):Cypress Semiconductor 端口數(shù)量:2 產(chǎn)品類型:SRAM 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:657 mg

eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內(nèi)，實(shí)現(xiàn)更高的性能，而且其成本與傳統(tǒng)MOSFET器件相若。氮化鎵器件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET器件的趨勢(shì)日益明顯。

低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性的通用MOSFET產(chǎn)品�？捎糜诟鞣N機(jī)器應(yīng)用，如繼電器電路和開關(guān)電路。內(nèi)置了柵極保護(hù)二極管作為防靜電措施。

封裝組件均采用了小型SOT-523 (1.6 x 1.6 x h0.9mm)、SOT-723（1.2 x 1.2 x h0.5mm），推動(dòng)機(jī)器小型化。