eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內(nèi)，實(shí)現(xiàn)更高的性能，而且其成本與傳統(tǒng)MOSFET器件相若。氮化鎵器件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET器件的趨勢日益明顯。

400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四電平飛跨電容（FCML）圖騰柱無橋整流器，適用于數(shù)據(jù)中心，它使用了最新的200 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2215）。

這兩款產(chǎn)品具有8V-60V的寬輸入電壓范圍，120mΩ的最大開關(guān)導(dǎo)通電阻(RDS(on)) ，10μs的電壓上升/下降時間，20μs的傳輸延遲，兼具靈活性、低耗散功率和快速響應(yīng)。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VSSOP-8 每個通道的輸出電流:66 mA Vos - 輸入偏置電壓 :1 mV 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:10 pA 工作電源電流:470 uA CMRR - 共模抑制比:93 dB 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 特點(diǎn):EMI Hardened 高度:0.86 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:3 mm 輸出類型:Rail-to-Rail 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Single 技術(shù):CMOS 寬度:3 mm 商標(biāo):Texas Instruments 開發(fā)套件:LMV832MMEVAL In—輸入噪聲電流密度:0.005 pA/sqrt Hz 工作電源電壓:3 V, 5 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:76 dB 1000 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:130 dB 單位重量:26.500 mg

光子人工智能芯片的計算速度大概是電子芯片的三個數(shù)量級，約1000倍，單個電子芯片的計算速度大約是7.8TFlops，而光子人工智能芯片的計算速度大概是3200TFlops。

Lightmatter 這款用于AI的硅光子處理器，將硅光技術(shù)用于高速計算當(dāng)中�？梢奓ightmatter具有很強(qiáng)的技術(shù)背景。

硅光子學(xué)的研究存在一些風(fēng)險，它不像傳統(tǒng)的半導(dǎo)體技術(shù)那樣穩(wěn)定。但鑒于世界開始受到標(biāo)準(zhǔn)計算系統(tǒng)的限制，因此對芯片計算能力的需求在未來只會增加。

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