ST8500 SoC在實(shí)現(xiàn)6LowPAN和IPv6通信協(xié)議，整合射頻連接技術(shù)與原生G3-PLC協(xié)議棧的情況下，接收功耗不到100mW，確保超低功耗性能符合最新規(guī)范關(guān)于最大限度降低新智能電表給電網(wǎng)帶來的負(fù)荷的規(guī)定。

芯片內(nèi)置高性能DSP和ARM®Cortex®-M4F處理器內(nèi)核，分別用于實(shí)時(shí)處理協(xié)議和上層應(yīng)用及系統(tǒng)管理任務(wù)。DSP和ARM內(nèi)核都有各自的片上代碼和數(shù)據(jù)SRAM存儲(chǔ)器，同時(shí)集成了128/256位AES加密引擎等外設(shè)，以滿足智能電表應(yīng)用的需求。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管 RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 封裝 / 箱體:DPAK-3 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:1.55 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:12 A Pd-功率耗散:88 W 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列:STGD6M65DF2 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 集電極最大連續(xù)電流 Ic:12 A 商標(biāo):STMicroelectronics 柵極—射極漏泄電流:+/- 250 uA 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:IGBTs 單位重量:330 mg

16納米技術(shù)S32G2能夠?qū)⒍嗯_(tái)設(shè)備整合為一體,打造強(qiáng)大的片上系統(tǒng)（SoC）,減少處理器占用的空間。

采用16納米技術(shù)S32R294雷達(dá)處理器為汽車制造商提供所需性能，進(jìn)而為NCAP和先進(jìn)的角雷達(dá)、長(zhǎng)距離前向雷達(dá)和先進(jìn)的多模式用例(例如同步盲點(diǎn)檢測(cè),變道輔助和俯仰角感測(cè))提供可擴(kuò)展的解決方案。

臺(tái)積公司是恩智浦的長(zhǎng)期合作伙伴，很感謝他們?cè)谶@個(gè)供應(yīng)短缺的非常時(shí)期給予我們的支持。

恩智浦16納米FF產(chǎn)品組合的關(guān)鍵一步，并為我們未來采用臺(tái)積公司5納米工藝的高性能S32處理平臺(tái)與統(tǒng)一軟件基礎(chǔ)架構(gòu)鋪平了道路。

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