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A31315傳感器三個(gè)磁場(chǎng)分量(BX BY BZ)來(lái)跟蹤復(fù)雜的磁體運(yùn)動(dòng)

發(fā)布時(shí)間:2021/8/3 23:10:20 訪問次數(shù):1336

A31315傳感器的靈活3D霍爾前端和可配置信號(hào)處理架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)高達(dá)360°的高精度、絕對(duì)線性/轉(zhuǎn)動(dòng)位置測(cè)量,同時(shí)由于具有更大的傳感器放置自由度,減輕了系統(tǒng)集成時(shí)的挑戰(zhàn)。

ALS31300 和 ALS31313等現(xiàn)有3DMAG器件同樣也支持3D磁力計(jì)應(yīng)用,但需要所有三個(gè)磁場(chǎng)分量(BX,BY,BZ)來(lái)跟蹤復(fù)雜的磁體運(yùn)動(dòng)。

ADAS是目前汽車行業(yè)的重要增長(zhǎng)引擎,Allegro具有更早服務(wù)這個(gè)市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì),再結(jié)合強(qiáng)大的新產(chǎn)品線,為客戶提供真正所需的傳感器解決方案,加速他們?cè)谥悄茏詣?dòng)駕駛汽車中提供ADAS功能。 

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管RoHS: 技術(shù):Si封裝 / 箱體:TO-247-3安裝風(fēng)格:Through Hole配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V集電極—射極飽和電壓:1.35 V柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:62 APd-功率耗散:188 W最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 175 C系列:封裝:Tube高度:20.7 mm長(zhǎng)度:15.87 mm寬度:5.31 mm商標(biāo):Infineon Technologies柵極—射極漏泄電流:100 nA產(chǎn)品類型:IGBT Transistors240子類別:IGBTs商標(biāo)名:零件號(hào)別名:IKW30N65ES5 SP001319678單位重量:6.049 g

由于遠(yuǎn)程工作和更高的流動(dòng)性,數(shù)據(jù)消費(fèi)急劇增長(zhǎng)。為了幫助滿足這種數(shù)據(jù)需求并創(chuàng)造令人興奮的新產(chǎn)品和體驗(yàn),我們新的5G M.2參考設(shè)計(jì)在前期解決了許多5G設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,這樣OEM廠商就不必?fù)?dān)心。高通技術(shù)公司致力于引領(lǐng)5G在智能手機(jī)之外的加速和擴(kuò)展。

我們已經(jīng)建立了世界級(jí)的工程和客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì),致力于5G移動(dòng)寬帶,為客戶提供先進(jìn)的參考設(shè)計(jì)。

我們正在增強(qiáng)生態(tài)系統(tǒng)的能力,以便最早在2021年底帶來(lái)下一代Release 16 5G產(chǎn)品,并幫助在計(jì)算、CPE、XR、游戲、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和其他方面創(chuàng)造新的商業(yè)機(jī)會(huì)。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

A31315傳感器的靈活3D霍爾前端和可配置信號(hào)處理架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)高達(dá)360°的高精度、絕對(duì)線性/轉(zhuǎn)動(dòng)位置測(cè)量,同時(shí)由于具有更大的傳感器放置自由度,減輕了系統(tǒng)集成時(shí)的挑戰(zhàn)。

ALS31300 和 ALS31313等現(xiàn)有3DMAG器件同樣也支持3D磁力計(jì)應(yīng)用,但需要所有三個(gè)磁場(chǎng)分量(BX,BY,BZ)來(lái)跟蹤復(fù)雜的磁體運(yùn)動(dòng)。

ADAS是目前汽車行業(yè)的重要增長(zhǎng)引擎,Allegro具有更早服務(wù)這個(gè)市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì),再結(jié)合強(qiáng)大的新產(chǎn)品線,為客戶提供真正所需的傳感器解決方案,加速他們?cè)谥悄茏詣?dòng)駕駛汽車中提供ADAS功能。 

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管RoHS: 技術(shù):Si封裝 / 箱體:TO-247-3安裝風(fēng)格:Through Hole配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V集電極—射極飽和電壓:1.35 V柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:62 APd-功率耗散:188 W最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 175 C系列:封裝:Tube高度:20.7 mm長(zhǎng)度:15.87 mm寬度:5.31 mm商標(biāo):Infineon Technologies柵極—射極漏泄電流:100 nA產(chǎn)品類型:IGBT Transistors240子類別:IGBTs商標(biāo)名:零件號(hào)別名:IKW30N65ES5 SP001319678單位重量:6.049 g

由于遠(yuǎn)程工作和更高的流動(dòng)性,數(shù)據(jù)消費(fèi)急劇增長(zhǎng)。為了幫助滿足這種數(shù)據(jù)需求并創(chuàng)造令人興奮的新產(chǎn)品和體驗(yàn),我們新的5G M.2參考設(shè)計(jì)在前期解決了許多5G設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,這樣OEM廠商就不必?fù)?dān)心。高通技術(shù)公司致力于引領(lǐng)5G在智能手機(jī)之外的加速和擴(kuò)展。

我們已經(jīng)建立了世界級(jí)的工程和客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì),致力于5G移動(dòng)寬帶,為客戶提供先進(jìn)的參考設(shè)計(jì)。

我們正在增強(qiáng)生態(tài)系統(tǒng)的能力,以便最早在2021年底帶來(lái)下一代Release 16 5G產(chǎn)品,并幫助在計(jì)算、CPE、XR、游戲、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和其他方面創(chuàng)造新的商業(yè)機(jī)會(huì)。

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