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兩個配備監(jiān)測輸出GR系列提供了許多不同的尺寸和選項

發(fā)布時間:2021/8/6 0:12:50 訪問次數:441

兩個配備監(jiān)測輸出,并集成用于過壓保護的熱保護元件的新系列ThermoFuse®壓敏電阻。

其中MT25系列(B72225M*)元件目前覆蓋的電壓范圍為150VRMS至385VRMS,最大浪涌電流能力為20kA(8/20μs脈沖波形),符合IEC61643-11標準。保護元件設計極為緊湊,完全封裝,尺寸僅為25 x 28 x14mm,并可選帶或不帶電隔離的監(jiān)測輸出。

MT30系列(B72230M*)元件的電壓范圍則為150VRMS至750VRMS,最大浪涌電流能力為25kA(8/20μs脈沖波形),符合IEC61643-11標準,尺寸為34x28x14mm,該壓敏電阻的監(jiān)測輸出采用電氣隔離設計。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導通電阻: 5.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 81 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 107 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: IPB80N06S4

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 8 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 35 ns

典型接通延遲時間: 20 ns

零件號別名: IPB80N06S4-05 SP001028718

單位重量: 4 g

GR系列的創(chuàng)新設計使安裝變得相當容易:分離的安裝步驟意味著甚至一個人都可以安裝大而笨重的機柜。與SR系列一樣,GR系列提供了許多不同的尺寸和選項,可以滿足廣泛的應用需求。

兩個Ex e機柜系列,即專注于最大程度地提高垂直一體化程度,并始終為用戶提供廣泛的支持。

除了區(qū)域現場服務外,客戶還可以聯系全球的6個解決方案工程中心(SEC)的產品專家,他們可以提供全方位幫助,從報價到定制化控制和分配解決方案相關的工程、設計和認證等所有方面。

自動化是我們的世界。完美的解決方案是我們的目標。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

兩個配備監(jiān)測輸出,并集成用于過壓保護的熱保護元件的新系列ThermoFuse®壓敏電阻。

其中MT25系列(B72225M*)元件目前覆蓋的電壓范圍為150VRMS至385VRMS,最大浪涌電流能力為20kA(8/20μs脈沖波形),符合IEC61643-11標準。保護元件設計極為緊湊,完全封裝,尺寸僅為25 x 28 x14mm,并可選帶或不帶電隔離的監(jiān)測輸出。

MT30系列(B72230M*)元件的電壓范圍則為150VRMS至750VRMS,最大浪涌電流能力為25kA(8/20μs脈沖波形),符合IEC61643-11標準,尺寸為34x28x14mm,該壓敏電阻的監(jiān)測輸出采用電氣隔離設計。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導通電阻: 5.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 81 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 107 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: IPB80N06S4

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 8 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 35 ns

典型接通延遲時間: 20 ns

零件號別名: IPB80N06S4-05 SP001028718

單位重量: 4 g

GR系列的創(chuàng)新設計使安裝變得相當容易:分離的安裝步驟意味著甚至一個人都可以安裝大而笨重的機柜。與SR系列一樣,GR系列提供了許多不同的尺寸和選項,可以滿足廣泛的應用需求。

兩個Ex e機柜系列,即專注于最大程度地提高垂直一體化程度,并始終為用戶提供廣泛的支持。

除了區(qū)域現場服務外,客戶還可以聯系全球的6個解決方案工程中心(SEC)的產品專家,他們可以提供全方位幫助,從報價到定制化控制和分配解決方案相關的工程、設計和認證等所有方面。

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(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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