散熱和電氣優(yōu)勢(shì)的DPAK封裝的產(chǎn)品高性能3D NAND解決方案
發(fā)布時(shí)間:2021/8/14 8:57:18 訪問次數(shù):863
9款新的功率雙極性晶體管,擴(kuò)大了具有散熱和電氣優(yōu)勢(shì)的DPAK封裝的產(chǎn)品組合,涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應(yīng)用。
新MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容,且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢(shì)。
新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級(jí)器件和工業(yè)級(jí)器件標(biāo)準(zhǔn),額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V(MJD41C /-Q和MJD42C /-Q)。MJD31CH-Q設(shè)計(jì)為高增益版本。
美光將176層NAND技術(shù)應(yīng)用于UFS 3.1,克服存儲(chǔ)瓶頸,使手機(jī)用戶盡享 5G 高速通信。
高性能 3D NAND 解決方案將為榮耀手機(jī)用戶在同時(shí)多應(yīng)用使用,以及高速下載、存儲(chǔ)等場(chǎng)景帶來快捷流暢的使用體驗(yàn)。
榮耀全能旗艦Magic3系列將率先搭載美光推出業(yè)界首款 176 層 NAND 技術(shù) UFS 3.1。
美光 176 層 UFS 3.1 解決方案相比上一代產(chǎn)品的順序?qū)懭胨俣忍嵘?75%,隨機(jī)讀取速度提升 70%,大幅提升應(yīng)用性能。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
9款新的功率雙極性晶體管,擴(kuò)大了具有散熱和電氣優(yōu)勢(shì)的DPAK封裝的產(chǎn)品組合,涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應(yīng)用。
新MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容,且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢(shì)。
新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級(jí)器件和工業(yè)級(jí)器件標(biāo)準(zhǔn),額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V(MJD41C /-Q和MJD42C /-Q)。MJD31CH-Q設(shè)計(jì)為高增益版本。
美光將176層NAND技術(shù)應(yīng)用于UFS 3.1,克服存儲(chǔ)瓶頸,使手機(jī)用戶盡享 5G 高速通信。
高性能 3D NAND 解決方案將為榮耀手機(jī)用戶在同時(shí)多應(yīng)用使用,以及高速下載、存儲(chǔ)等場(chǎng)景帶來快捷流暢的使用體驗(yàn)。
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美光 176 層 UFS 3.1 解決方案相比上一代產(chǎn)品的順序?qū)懭胨俣忍嵘?75%,隨機(jī)讀取速度提升 70%,大幅提升應(yīng)用性能。
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