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FBGA 78封裝DDR3L在工藝速度功耗和穩(wěn)定性上保持領(lǐng)先水平

發(fā)布時間:2021/8/18 21:59:14 訪問次數(shù):448

高可靠性機電開關(guān)制造商C&K開發(fā)了帶燈按鍵開關(guān)系列,提供平穩(wěn)的正觸覺反饋以及清脆的觸覺聲音, 從而實現(xiàn)了極佳的人機工學(xué)特性和使用便利性。

D6系列帶燈按鍵開關(guān)具有集成的LED,可降低成本并簡化照明路徑的設(shè)計。因此, D6系列可以用于多種面板應(yīng)用, 包括電器,電子游戲,工業(yè)、醫(yī)療、安防和視頻、實驗設(shè)備等等。

嵌入式存儲品牌FORESEE順應(yīng)信息時代發(fā)展潮流,繼2019年年底推出FBGA 96封裝的DDR3L產(chǎn)品后,近期再次推出了FBGA 78封裝的DDR3L,在工藝、速度、功耗和穩(wěn)定性上皆保持行業(yè)領(lǐng)先水平。

制造商:Cirrus Logic 產(chǎn)品種類:音頻模/數(shù)轉(zhuǎn)換器 IC RoHS: 詳細信息 系列:CS5381 產(chǎn)品:Audio ADCs 類型:Audio ADC 轉(zhuǎn)換器數(shù)量:2 Converter 分辨率:24 bit 采樣比:192 kS/s ADC 輸入端數(shù)量:2 Input 工作電源電壓:5 V 最小工作溫度:- 10 C 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-24 封裝:Reel 高度:2.35 mm 輸入電壓:+/- 2.825 V 長度:15.6 mm 寬度:7.6 mm 商標:Cirrus Logic 接口類型:Serial 產(chǎn)品類型:Audio A/D Converter ICs SNR – 信噪比:- 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Audio ICs 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:4.75 V 單位重量:1.098 g

半導(dǎo)體制造行業(yè)一直以來使用的填隙方法包括傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)、擴散/熔爐和旋涂工藝。

由于這些技術(shù)需要在質(zhì)量、收縮率和填充率之間權(quán)衡取舍,因此已無法滿足當前3D NAND的生產(chǎn)要求。相比之下,泛林集團的Striker ICEFill采用其獨有的表面改性技術(shù),可以實現(xiàn)高選擇性自下而上及無縫的填隙,并保持原子層沉積(ALD)固有的成膜質(zhì)量。

ICEFill技術(shù)能夠解決3D NAND器件普遍存在的高深寬比填隙面臨的限制,避免DRAM和邏輯器件結(jié)構(gòu)倒塌的問題。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

高可靠性機電開關(guān)制造商C&K開發(fā)了帶燈按鍵開關(guān)系列,提供平穩(wěn)的正觸覺反饋以及清脆的觸覺聲音, 從而實現(xiàn)了極佳的人機工學(xué)特性和使用便利性。

D6系列帶燈按鍵開關(guān)具有集成的LED,可降低成本并簡化照明路徑的設(shè)計。因此, D6系列可以用于多種面板應(yīng)用, 包括電器,電子游戲,工業(yè)、醫(yī)療、安防和視頻、實驗設(shè)備等等。

嵌入式存儲品牌FORESEE順應(yīng)信息時代發(fā)展潮流,繼2019年年底推出FBGA 96封裝的DDR3L產(chǎn)品后,近期再次推出了FBGA 78封裝的DDR3L,在工藝、速度、功耗和穩(wěn)定性上皆保持行業(yè)領(lǐng)先水平。

制造商:Cirrus Logic 產(chǎn)品種類:音頻模/數(shù)轉(zhuǎn)換器 IC RoHS: 詳細信息 系列:CS5381 產(chǎn)品:Audio ADCs 類型:Audio ADC 轉(zhuǎn)換器數(shù)量:2 Converter 分辨率:24 bit 采樣比:192 kS/s ADC 輸入端數(shù)量:2 Input 工作電源電壓:5 V 最小工作溫度:- 10 C 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-24 封裝:Reel 高度:2.35 mm 輸入電壓:+/- 2.825 V 長度:15.6 mm 寬度:7.6 mm 商標:Cirrus Logic 接口類型:Serial 產(chǎn)品類型:Audio A/D Converter ICs SNR – 信噪比:- 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Audio ICs 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:4.75 V 單位重量:1.098 g

半導(dǎo)體制造行業(yè)一直以來使用的填隙方法包括傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)、擴散/熔爐和旋涂工藝。

由于這些技術(shù)需要在質(zhì)量、收縮率和填充率之間權(quán)衡取舍,因此已無法滿足當前3D NAND的生產(chǎn)要求。相比之下,泛林集團的Striker ICEFill采用其獨有的表面改性技術(shù),可以實現(xiàn)高選擇性自下而上及無縫的填隙,并保持原子層沉積(ALD)固有的成膜質(zhì)量。

ICEFill技術(shù)能夠解決3D NAND器件普遍存在的高深寬比填隙面臨的限制,避免DRAM和邏輯器件結(jié)構(gòu)倒塌的問題。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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