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額定電壓下1000小時溫濕度偏壓(THB)測試—溫度85 °C

發(fā)布時間:2021/8/20 12:15:37 訪問次數(shù):2621

高濕環(huán)境的新系列汽車級DC-Link金屬化聚丙烯薄膜電容器---MKP1848H DC-Link。Vishay Roederstein MKP1848H DC-Link是Vishay首款符合AEC-Q200標準的系列DC-Link薄膜電容器,額定電壓下1000小時溫濕度偏壓(THB)測試—溫度85 °C,相對濕度85 %,電氣特性無變化。

MKP1848H DC-Link系列電容器額定容量為1 μF至80 μF,ESR低至3 mΩ。

器件紋波電流高達25.1 A,+85 °C條件下額定電壓分別為500 VDC、700 VDC、800 VDC、920 VDC和1200 VDC。電容器符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:開關穩(wěn)壓器RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WSON-6拓撲結構:Boost輸出電壓:5 V輸出電流:600 mA輸出端數(shù)量:1 Output最大輸入電壓:5.5 V最小輸入電壓:2.3 V靜態(tài)電流:165 uA開關頻率:3.5 MHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel輸入電壓:2.3 V to 5.5 V產(chǎn)品:Voltage Regulators類型:Voltage Converter商標:Texas Instruments關閉:Shutdown開發(fā)套件:TPS61240EVM-360工作電源電流:30 uA產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators3000子類別:PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小:2.3 V單位重量:9.700 mg

面向數(shù)據(jù)中心、服務器和高性能工作站應用推出全新高速、低功耗的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器。

在過去幾年中,實時分析、機器學習、HPC、AI及其它對內(nèi)存和帶寬要求極高的應用飛速發(fā)展,推動了服務器內(nèi)存帶寬需求的爆炸性增長,而減載雙列直插內(nèi)存模組(LRDIMM)已成為推動這些應用發(fā)展的內(nèi)存技術的基石。

瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器通過降低容性負載、數(shù)據(jù)對準和信號恢復技術的組合,使重載通道的系統(tǒng)眼圖最大化。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

高濕環(huán)境的新系列汽車級DC-Link金屬化聚丙烯薄膜電容器---MKP1848H DC-Link。Vishay Roederstein MKP1848H DC-Link是Vishay首款符合AEC-Q200標準的系列DC-Link薄膜電容器,額定電壓下1000小時溫濕度偏壓(THB)測試—溫度85 °C,相對濕度85 %,電氣特性無變化。

MKP1848H DC-Link系列電容器額定容量為1 μF至80 μF,ESR低至3 mΩ。

器件紋波電流高達25.1 A,+85 °C條件下額定電壓分別為500 VDC、700 VDC、800 VDC、920 VDC和1200 VDC。電容器符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:開關穩(wěn)壓器RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WSON-6拓撲結構:Boost輸出電壓:5 V輸出電流:600 mA輸出端數(shù)量:1 Output最大輸入電壓:5.5 V最小輸入電壓:2.3 V靜態(tài)電流:165 uA開關頻率:3.5 MHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel輸入電壓:2.3 V to 5.5 V產(chǎn)品:Voltage Regulators類型:Voltage Converter商標:Texas Instruments關閉:Shutdown開發(fā)套件:TPS61240EVM-360工作電源電流:30 uA產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators3000子類別:PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小:2.3 V單位重量:9.700 mg

面向數(shù)據(jù)中心、服務器和高性能工作站應用推出全新高速、低功耗的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器。

在過去幾年中,實時分析、機器學習、HPC、AI及其它對內(nèi)存和帶寬要求極高的應用飛速發(fā)展,推動了服務器內(nèi)存帶寬需求的爆炸性增長,而減載雙列直插內(nèi)存模組(LRDIMM)已成為推動這些應用發(fā)展的內(nèi)存技術的基石。

瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器通過降低容性負載、數(shù)據(jù)對準和信號恢復技術的組合,使重載通道的系統(tǒng)眼圖最大化。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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