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高可靠性CAM模塊使用BCH碼實(shí)現(xiàn)ECC 8bit/512Byte功能

發(fā)布時(shí)間:2021/8/20 0:03:26 訪問次數(shù):880

三星電子在產(chǎn)品上采用了ISOCELL 2.0技術(shù),較ISOCELL Plus在顏色還原和感光度方面有所提高。

產(chǎn)品還添加行交織HDR(staggered High Dynamic Range)功能,以行為單位區(qū)分像素曝光時(shí)間后將不同亮度圖像融合為一張照片,與實(shí)時(shí)HDR技術(shù)區(qū)分各個(gè)像素曝光時(shí)間相比,可以提高圖像處理的速度。

該產(chǎn)品還采用了黑暗環(huán)境中四個(gè)相鄰像素結(jié)合的“四像素合一(Tetracell)”技術(shù)。

0.7μm像素變成1.4μm的大尺寸像素,因此與3D HDR相比,可以減少圖像噪點(diǎn),提高感光度,能拍攝出更加清晰的圖像。

聚合物鉭電容器

103

ESD 抑制器/TVS 二極管

17,099

MOSFET

1,875

監(jiān)控電路

10,048

馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器

2,282

厚膜電阻器 - SMD

852,549

實(shí)時(shí)時(shí)鐘

2,246

穩(wěn)壓二極管

3,898

RFID應(yīng)答器

1,390

東芯的24nm NAND通過自主研發(fā)使用BCH碼實(shí)現(xiàn)ECC 8bit/512Byte功能,極大提升產(chǎn)品可靠性,實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)單元與功能單元的高度集成在同一顆芯片內(nèi),減少芯片成品面積,縮短存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀寫時(shí)間。

使用高可靠性CAM模塊,提高可靠性。使用多種可選通過電壓的方式,實(shí)現(xiàn)局部自電位升壓,在編寫操作時(shí)有效保護(hù)非目標(biāo)單元,極大地提高產(chǎn)品可靠性。

高性能的數(shù)據(jù)訪問,通過內(nèi)部buffer可以提供數(shù)據(jù)吞吐量,一頁(yè)從存儲(chǔ)陣列到數(shù)據(jù)寄存器小于25微秒。1.8V連續(xù)讀寫的時(shí)鐘周期為30納秒,而3.3V僅需20納秒。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

三星電子在產(chǎn)品上采用了ISOCELL 2.0技術(shù),較ISOCELL Plus在顏色還原和感光度方面有所提高。

產(chǎn)品還添加行交織HDR(staggered High Dynamic Range)功能,以行為單位區(qū)分像素曝光時(shí)間后將不同亮度圖像融合為一張照片,與實(shí)時(shí)HDR技術(shù)區(qū)分各個(gè)像素曝光時(shí)間相比,可以提高圖像處理的速度。

該產(chǎn)品還采用了黑暗環(huán)境中四個(gè)相鄰像素結(jié)合的“四像素合一(Tetracell)”技術(shù)。

0.7μm像素變成1.4μm的大尺寸像素,因此與3D HDR相比,可以減少圖像噪點(diǎn),提高感光度,能拍攝出更加清晰的圖像。

聚合物鉭電容器

103

ESD 抑制器/TVS 二極管

17,099

MOSFET

1,875

監(jiān)控電路

10,048

馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器

2,282

厚膜電阻器 - SMD

852,549

實(shí)時(shí)時(shí)鐘

2,246

穩(wěn)壓二極管

3,898

RFID應(yīng)答器

1,390

東芯的24nm NAND通過自主研發(fā)使用BCH碼實(shí)現(xiàn)ECC 8bit/512Byte功能,極大提升產(chǎn)品可靠性,實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)單元與功能單元的高度集成在同一顆芯片內(nèi),減少芯片成品面積,縮短存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀寫時(shí)間。

使用高可靠性CAM模塊,提高可靠性。使用多種可選通過電壓的方式,實(shí)現(xiàn)局部自電位升壓,在編寫操作時(shí)有效保護(hù)非目標(biāo)單元,極大地提高產(chǎn)品可靠性。

高性能的數(shù)據(jù)訪問,通過內(nèi)部buffer可以提供數(shù)據(jù)吞吐量,一頁(yè)從存儲(chǔ)陣列到數(shù)據(jù)寄存器小于25微秒。1.8V連續(xù)讀寫的時(shí)鐘周期為30納秒,而3.3V僅需20納秒。

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