隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

而對于先進DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。

領先DRAM制造商幾乎所有已商業(yè)化的DRAM產(chǎn)品都存在AA形狀扭曲。除中心線不穩(wěn)定以外，這種扭曲還體現(xiàn)在切割區(qū)域周邊的關鍵尺寸差異

當一個設備的接地線上電壓較大時這個電壓驅動了地環(huán)路電流,它通常由兩個原因產(chǎn)生.

由于RDC是ρ（電阻率）、S（橫截面積）、L（長度）這三個因素決定的。

ρ材料的電阻率一般導線制作出來就已經(jīng)固定了，銅的電阻率為1。所以在直流電中影響電阻的阻值就是導線的橫截面積和導線的長度。

決定感量的因數(shù)主要是導線的長度和導線的直徑。因此決定導線的阻抗的因素我們也知道了，所以在電路中各個地方的地阻抗的不一致就是以上的因素所決定的。

這個地線電壓的形成是由于作為地的導體上流過了較大的電流，電流在導體阻抗上形成電壓。

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