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數(shù)據(jù)流量的增加推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心的持續(xù)增長并要求供應(yīng)鏈穩(wěn)定可靠

發(fā)布時(shí)間:2021/9/26 8:24:17 訪問次數(shù):484

Seagull系列的全線產(chǎn)品都完全符合IEEE 802.3的標(biāo)準(zhǔn)，具有穩(wěn)健、可重復(fù)的性能，并與多家光連接及交換機(jī)/ASIC合作伙伴進(jìn)行了互聯(lián)互通驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。

下一代數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)不斷的創(chuàng)新，以滿足在提高產(chǎn)品性能的同時(shí)降低總體購置成本及冷卻要求。數(shù)據(jù)流量的增加推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心的持續(xù)增長并要求供應(yīng)鏈穩(wěn)定可靠。

Credo的全新DSP產(chǎn)品同時(shí)滿足了以上所有的客戶需求，因而非常適合應(yīng)用于光收發(fā)器及AOC中。

Seagull 110 (CFD30201)和Seagull XR8 (CFD60801)均已量產(chǎn)，將在即將舉辦的第23屆中國國際光電博覽會(huì)（CIOE 2021）上進(jìn)行展示，并可以向客戶供應(yīng)相關(guān)產(chǎn)品。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:U-DFN3030-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:17 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:350 mV Qg-柵極電荷:8.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:920 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Diodes Incorporated 配置:Dual 下降時(shí)間:234 ns, 234 ns 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:78 ns, 78 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:2 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:562 ns, 562 ns 典型接通延遲時(shí)間:53 ns, 53 ns 單位重量:65 mg

ALM2403-Q1 中的每個(gè)運(yùn)算放大器都具有針對(duì) PMOS(高側(cè))和 NMOS(低側(cè))輸出晶體管的單獨(dú)內(nèi)部電流限制。 如果輸出對(duì)地短路，則激活 PMOS(高側(cè))電流限制，并將電流限制在標(biāo)稱 500 mA。 

如果輸出與電源短路，則激活 NMOS(低側(cè))電流限制并將電流限制為 25°C 時(shí)的 400 mA 額定電流。 限流值與溫度成反比.

 因此，電流限制值在低溫下會(huì)增加。當(dāng)電流受到限制時(shí)，必須考慮芯片溫度的安全限制。 如果功耗太大，芯片溫度可能會(huì)超過熱關(guān)斷限制; 運(yùn)算放大器關(guān)閉并在管芯低于熱限制后重新激活。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

Seagull系列的全線產(chǎn)品都完全符合IEEE 802.3的標(biāo)準(zhǔn)，具有穩(wěn)健、可重復(fù)的性能，并與多家光連接及交換機(jī)/ASIC合作伙伴進(jìn)行了互聯(lián)互通驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。

下一代數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)不斷的創(chuàng)新，以滿足在提高產(chǎn)品性能的同時(shí)降低總體購置成本及冷卻要求。數(shù)據(jù)流量的增加推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心的持續(xù)增長并要求供應(yīng)鏈穩(wěn)定可靠。

Credo的全新DSP產(chǎn)品同時(shí)滿足了以上所有的客戶需求，因而非常適合應(yīng)用于光收發(fā)器及AOC中。

Seagull 110 (CFD30201)和Seagull XR8 (CFD60801)均已量產(chǎn)，將在即將舉辦的第23屆中國國際光電博覽會(huì)（CIOE 2021）上進(jìn)行展示，并可以向客戶供應(yīng)相關(guān)產(chǎn)品。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:U-DFN3030-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:17 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:350 mV Qg-柵極電荷:8.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:920 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Diodes Incorporated 配置:Dual 下降時(shí)間:234 ns, 234 ns 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:78 ns, 78 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:2 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:562 ns, 562 ns 典型接通延遲時(shí)間:53 ns, 53 ns 單位重量:65 mg

ALM2403-Q1 中的每個(gè)運(yùn)算放大器都具有針對(duì) PMOS(高側(cè))和 NMOS(低側(cè))輸出晶體管的單獨(dú)內(nèi)部電流限制。 如果輸出對(duì)地短路，則激活 PMOS(高側(cè))電流限制，并將電流限制在標(biāo)稱 500 mA。 

如果輸出與電源短路，則激活 NMOS(低側(cè))電流限制并將電流限制為 25°C 時(shí)的 400 mA 額定電流。 限流值與溫度成反比.

 因此，電流限制值在低溫下會(huì)增加。當(dāng)電流受到限制時(shí)，必須考慮芯片溫度的安全限制。 如果功耗太大，芯片溫度可能會(huì)超過熱關(guān)斷限制; 運(yùn)算放大器關(guān)閉并在管芯低于熱限制后重新激活。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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