半導(dǎo)體晶粒(Dice)堆疊對于復(fù)雜集成問題來說并不是一個新方法，大大小小的公司對此已研究了十幾年。三家公司Matrix、Tezzaron和Irvine Sensors最近聲稱采用各自的方法在該領(lǐng)域取得進(jìn)展。

　　Matrix Semiconductor公司日前宣稱，在投入批量生產(chǎn)僅僅4個月之后就已交付100萬片3D一次性可編程非易失性存儲器。Matrix的3DM器件采用標(biāo)準(zhǔn)TSOP或MultimediaCard格式封裝，密度高達(dá)64MB。該器件由臺積電代工制造，Amkor Technology封裝。

　　而Tezzaron Semiconductor此前也于4月宣布開始限量供應(yīng)兩種商用3D器件：含200MHz RISC內(nèi)核和512kB的堆棧SRAM的微控制器，以及帶1、2或4Mb同步SRAM的存儲器件。Tezzaron表示，兩種產(chǎn)品均為兩層器件，采用0.18微米技術(shù)，承諾不久將推出5層器件。該公司還表示不打算堆棧器件，而更愿意采用其FsStack工藝構(gòu)建。該工藝采用直通硅片(through-silicon)連接器。

　　Irvine Sensors公司則表示能在一個封裝內(nèi)堆棧2到4層DRAM、Flash或SRAM，與單BGA芯片有相同的輪廓。這家公司將兩片256Mb的同步DRAM或兩片雙數(shù)據(jù)率的SRAM堆疊創(chuàng)建出512Mb的存儲器。

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