根據(jù)南韓Electronic Times Internet 26日的報(bào)導(dǎo)，基于海外后段制程廠難以因應(yīng)閃存與System LSI等尖端產(chǎn)品的封裝與測(cè)試，三星電子將自明年開始，大幅擴(kuò)大其在南韓的半導(dǎo)體后段制程領(lǐng)域投資。

    三星電子相關(guān)人員表示，目前雖不便透露正式的投資規(guī)模，然為因應(yīng)閃存等新晶圓廠增設(shè)后的后段制程需求，該公司將著手進(jìn)行擴(kuò)廠。

    據(jù)了解，三星電子將在其擁有后段制程設(shè)備的溫陽(yáng)工廠，擴(kuò)充25~30％的產(chǎn)能。同時(shí)，對(duì)于現(xiàn)有的生產(chǎn)線，亦將視需求轉(zhuǎn)換為先進(jìn)設(shè)備。