控制器能降低轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗有效鉗位的輸出驅(qū)動(dòng)器
發(fā)布時(shí)間:2021/10/4 10:26:16 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):325
TI新的UCC2891,UCC2892,UCC2893和UCC2894很適合用在有效鉗位的正激或反激轉(zhuǎn)換器中,它包括有輔助簡(jiǎn)單編程的延時(shí),獲得適當(dāng)?shù)挠行сQ位操作,給初級(jí)邊的MOSFET開(kāi)關(guān)提供零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS).
因此,控制器能降低轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗,其有效鉗位的輸出驅(qū)動(dòng)器,用來(lái)有效地重置單端變壓器.
軟開(kāi)關(guān)使器件在高頻時(shí)得到更高的效率,由于降低了電磁干擾(EMI)和射頻干擾(RFI),增加整個(gè)系統(tǒng)的可靠性,降低了電源元件的損耗.
基于TI第一代成功的UCC3580有效鉗位控制器,這四種新的控制器改善了性能而又消除了許多外接元件.
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-6 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A, 3.9 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:58 mOhms, 195 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV Qg-柵極電荷:3.2 nC, 6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W, 1.4 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:3.05 mm 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel, 1 P-Channel 寬度:1.65 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:1 S, 12 S 下降時(shí)間:9 ns, 28 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:16 ns, 37 ns 工廠(chǎng)包裝數(shù)量3000 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns, 25 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns, 16 ns 零件號(hào)別名:SI3585CDV-GE3 單位重量:20 mg
與通用照明中的其他熒光粉不同,量子點(diǎn)解決方案的發(fā)展仍處于起步階段,但未來(lái)幾代產(chǎn)品前景廣闊。艾邁斯歐司朗的量子點(diǎn)解決方案具有一項(xiàng)獨(dú)特的特性,那就是該解決方案采用保護(hù)性的封裝,因此更加堅(jiān)固,不易受到潮濕和其他外部因素影響。
得益于這種特殊的封裝技術(shù),才有可能在LED內(nèi)要求苛刻的“芯片級(jí)尺寸”操作中使用這樣的微小粒子。
該LED還符合單一照明條例(SLR)中關(guān)于光源能效的嚴(yán)格要求,該條例將于2021年9月在歐洲強(qiáng)制實(shí)施。
TI新的UCC2891,UCC2892,UCC2893和UCC2894很適合用在有效鉗位的正激或反激轉(zhuǎn)換器中,它包括有輔助簡(jiǎn)單編程的延時(shí),獲得適當(dāng)?shù)挠行сQ位操作,給初級(jí)邊的MOSFET開(kāi)關(guān)提供零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS).
因此,控制器能降低轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗,其有效鉗位的輸出驅(qū)動(dòng)器,用來(lái)有效地重置單端變壓器.
軟開(kāi)關(guān)使器件在高頻時(shí)得到更高的效率,由于降低了電磁干擾(EMI)和射頻干擾(RFI),增加整個(gè)系統(tǒng)的可靠性,降低了電源元件的損耗.
基于TI第一代成功的UCC3580有效鉗位控制器,這四種新的控制器改善了性能而又消除了許多外接元件.
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-6 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A, 3.9 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:58 mOhms, 195 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV Qg-柵極電荷:3.2 nC, 6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W, 1.4 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:3.05 mm 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel, 1 P-Channel 寬度:1.65 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:1 S, 12 S 下降時(shí)間:9 ns, 28 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:16 ns, 37 ns 工廠(chǎng)包裝數(shù)量3000 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns, 25 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns, 16 ns 零件號(hào)別名:SI3585CDV-GE3 單位重量:20 mg
與通用照明中的其他熒光粉不同,量子點(diǎn)解決方案的發(fā)展仍處于起步階段,但未來(lái)幾代產(chǎn)品前景廣闊。艾邁斯歐司朗的量子點(diǎn)解決方案具有一項(xiàng)獨(dú)特的特性,那就是該解決方案采用保護(hù)性的封裝,因此更加堅(jiān)固,不易受到潮濕和其他外部因素影響。
得益于這種特殊的封裝技術(shù),才有可能在LED內(nèi)要求苛刻的“芯片級(jí)尺寸”操作中使用這樣的微小粒子。
該LED還符合單一照明條例(SLR)中關(guān)于光源能效的嚴(yán)格要求,該條例將于2021年9月在歐洲強(qiáng)制實(shí)施。
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