FRAM測(cè)試芯片是用標(biāo)準(zhǔn)的130nm銅連接工藝制造，僅增加兩道掩模工序。

電極化的方向有內(nèi)部電路的高或低邏輯狀態(tài)確定。每個(gè)方向都是穩(wěn)定的，電場(chǎng)除去后依然保持不變，從而在存儲(chǔ)器中保存了數(shù)據(jù)而不會(huì)發(fā)生周期性刷新。

在90nm工藝，F(xiàn)RAM單元更小，僅為0.35平方微米。FRAM結(jié)合了易揮發(fā)的DRAM的快速存取和低功耗的特點(diǎn)，能夠在停電時(shí)保存數(shù)據(jù)。其它非揮發(fā)的存儲(chǔ)器如EEPROM和閃存則更貴，因?yàn)樾枰嗟难谀９ば�，更長的寫入時(shí)間和更多的寫入功率。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:以太網(wǎng) ICRoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VQFN-48產(chǎn)品:Ethernet PHYs標(biāo)準(zhǔn):10/1GBASE-T, 100BASE-TX收發(fā)器數(shù)量:1 Transceiver數(shù)據(jù)速率:10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s接口類型:RGMII, SGMII工作電源電壓:1 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標(biāo):Texas Instruments電源電流—最大值:137 mA雙工:Full Duplex, Half Duplex濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Ethernet ICs250子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:3.45 V電源電壓-最小:950 mV單位重量:119.800 mg

對(duì)于數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用，為了減少分配電流和功率損耗，業(yè)界正在朝遠(yuǎn)離12V而采用48V配電的趨勢(shì)發(fā)展。

為了滿足這種不斷增長的需求，英飛凌ZSC技術(shù)可為使用48V中間總線電壓的應(yīng)用提供最高的效率與功率密度。

這歸功于電容能量傳輸以及功率MOSFET軟開關(guān)技術(shù)的采用，因此其可以顯著降低總體擁有成本（TCO），以簡單而又低風(fēng)險(xiǎn)的方式，實(shí)現(xiàn)從傳統(tǒng)12V系統(tǒng)向48V總線的轉(zhuǎn)變。

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