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散熱性保證超大功率輸出供電電壓在22V以內(nèi)定制符號(hào)編輯器

發(fā)布時(shí)間:2021/11/22 12:31:15 訪問(wèn)次數(shù):283


CS8683H單通道音頻功率放大器是為需要輸出高質(zhì)量音頻功率的系統(tǒng)設(shè)計(jì)的,它采用采用EQB-32封裝(散熱片在頂部),良好的散熱性能保證超大功率輸出,使系統(tǒng)具備高質(zhì)量的音頻輸出功率。

CS8686H內(nèi)置了過(guò)流保護(hù),短路保護(hù)和過(guò)熱保護(hù),有效的保護(hù)芯片在異常的工作條件下不被損壞。

供電電壓在22V以內(nèi),可以驅(qū)動(dòng)低至2Ω 負(fù)載的揚(yáng) 聲器 ,最高可提供80W的連續(xù)功率 ;在供電電壓30V以內(nèi),可以驅(qū)動(dòng)低至4Ω負(fù)載的揚(yáng)聲器,提供120W的連續(xù)功率具有高達(dá)94%的效率。CS8683H提供纖小的封裝形式供客戶選擇,可以為客戶節(jié)省可觀的PCB面積,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。

Scheme-it是一個(gè)基于云的工具,可讓全球用戶設(shè)計(jì)并共享電子電路圖和原理圖,最近發(fā)布的新功能包括:

Ultra Librarian 符號(hào)集成:該功能從 Digi-Key 的產(chǎn)品目錄中引入了大約 200 萬(wàn)個(gè) Ultra  Librarian 的詳細(xì)、美觀的符號(hào)和圖像。

Symbol Editor 2.0:這是一款定制符號(hào)編輯器,允許用戶創(chuàng)建當(dāng)前未包含在 Scheme-it 中的新符號(hào),提供了無(wú)限的定制設(shè)計(jì)方法。

數(shù)學(xué)標(biāo)記:在 LaTeX 的支持下,用戶現(xiàn)在可以正確地格式化并直接在原理圖上插入數(shù)學(xué)公式和計(jì)算。

由于焊接面積比 TO263 高出百分之五十,TOLL封裝能使接面的熱阻抗達(dá) 0.65°C/W,MOSFET可處理高達(dá) 270A 的電流。

鍍錫的梯形凹槽鉛錠有助于自動(dòng)光學(xué)檢測(cè) (AOI) 流程。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET) 皆符合 AEC-Q101 等級(jí)規(guī)范,由 IATF 16949  認(rèn)證的設(shè)施制造,并支持 PPAP 文件。

列表(系統(tǒng)編號(hào) 500)上的新入口點(diǎn)為 1.24 petaflops,與前一個(gè)列表相比略有增加。列表中的新系統(tǒng)總數(shù)僅為 51,這是自 1993 年 TOP500 開(kāi)始以來(lái)的最低記錄。

(素材來(lái)源:eepw.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


CS8683H單通道音頻功率放大器是為需要輸出高質(zhì)量音頻功率的系統(tǒng)設(shè)計(jì)的,它采用采用EQB-32封裝(散熱片在頂部),良好的散熱性能保證超大功率輸出,使系統(tǒng)具備高質(zhì)量的音頻輸出功率。

CS8686H內(nèi)置了過(guò)流保護(hù),短路保護(hù)和過(guò)熱保護(hù),有效的保護(hù)芯片在異常的工作條件下不被損壞。

供電電壓在22V以內(nèi),可以驅(qū)動(dòng)低至2Ω 負(fù)載的揚(yáng) 聲器 ,最高可提供80W的連續(xù)功率 ;在供電電壓30V以內(nèi),可以驅(qū)動(dòng)低至4Ω負(fù)載的揚(yáng)聲器,提供120W的連續(xù)功率具有高達(dá)94%的效率。CS8683H提供纖小的封裝形式供客戶選擇,可以為客戶節(jié)省可觀的PCB面積,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。

Scheme-it是一個(gè)基于云的工具,可讓全球用戶設(shè)計(jì)并共享電子電路圖和原理圖,最近發(fā)布的新功能包括:

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Symbol Editor 2.0:這是一款定制符號(hào)編輯器,允許用戶創(chuàng)建當(dāng)前未包含在 Scheme-it 中的新符號(hào),提供了無(wú)限的定制設(shè)計(jì)方法。

數(shù)學(xué)標(biāo)記:在 LaTeX 的支持下,用戶現(xiàn)在可以正確地格式化并直接在原理圖上插入數(shù)學(xué)公式和計(jì)算。

由于焊接面積比 TO263 高出百分之五十,TOLL封裝能使接面的熱阻抗達(dá) 0.65°C/W,MOSFET可處理高達(dá) 270A 的電流。

鍍錫的梯形凹槽鉛錠有助于自動(dòng)光學(xué)檢測(cè) (AOI) 流程。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET) 皆符合 AEC-Q101 等級(jí)規(guī)范,由 IATF 16949  認(rèn)證的設(shè)施制造,并支持 PPAP 文件。

列表(系統(tǒng)編號(hào) 500)上的新入口點(diǎn)為 1.24 petaflops,與前一個(gè)列表相比略有增加。列表中的新系統(tǒng)總數(shù)僅為 51,這是自 1993 年 TOP500 開(kāi)始以來(lái)的最低記錄。

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